第二章晶体生长的结晶化学基础-上.pptx

晶体生长的结晶化学基础;一、晶体生长的基本过程;3; 晶体内部结构、环境相状态及生长条件都将直 接影响晶体生长的“基元”过程。 环境相及生长条件的影响集中体现于基元的 形成过程之中 —（1） 而不同结构的生长基元在不同晶面族上的吸 附、运动结晶或脱附过程主要与晶体内部结 构相关联。—（2）～（4） ;不同结构的晶体具有不同的生长形态。 对于同一晶体，不同的生长条件可能产生不同结构的生长基元，最终形成不同形态的晶体。 同种晶体可能有多种结构的物相，即同质异相体。这也是由于生长条件不同，“基元”过程不同而导致的结果。 晶体内部缺陷的形成又与“基元”过程受到干扰有关。 ;二、晶体生长的理论基础;2、相变驱动力 相变驱动力对于不同类型的相转变具有不同的表 达： 对于气?固转变，相变驱动力??以表示为气体压 强过饱和度的函数； 对于液?固转变，相变驱动力既可以用浓度过饱 和度衡量，也可用温度过饱和度衡量。在溶液 中，A组分达到过饱和时，体系中的A组分可从液 态转变为固态（晶体）； 对于熔体可用过冷度衡量。 ;3、成核理论 晶体生长可以分为成核和长大两个阶段。 成核过程主要考虑热力学条件 长大过程主要考虑动力学条件 在晶体生长过程中，新