两类纳米级非线性忆阻器模型及串并联研究.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 12 (2014) 128502 两类纳米级非线性忆阻器模型及串并联研究 董哲康 段书凯 胡小方 王丽丹 1)(西南大学电子信息工程学院, 重庆 400715) 2)(香港城市大学机械与生物医学工程系, 香港) ( 2014 年1 月4 日收到; 2014 年3 月6 日收到修改稿) 忆阻器是一种新型的非线性动态可变电阻器, 其阻值的变化依赖于通过它的电荷量或磁通量. 作为第四 种基本电路元器件, 忆阻器在非易失性存储器、非线性电路及系统、神经形态系统等领域中有巨大的应用潜能. 忆阻器串并联组合电路具有比单个忆阻器更为丰富的器件特性, 引起了研究者越来越多的关注. 本文推导了 带有窗函数的闭合形式的电荷及磁通量控制的忆阻器非线性模型, 能够有效地模拟忆阻器边缘附近的非线性 离子迁移现象, 同时保证忆阻器的边界条件. 进一步, 分别从忆阻器的器件参数和激励阈值两个角度, 对忆阻 器串并联电路进行了全面的理论推导和数值分析. 为了更加直观地观察忆阻器串并联特性, 设计了一种基于 Matlab 的忆阻器串并联图形用户界面, 能够清晰地展示两种分类方式下忆阻系统的器件特性, 可为忆阻器组 合电路的后续研究提供良好的理论参考和实验依据. 关键词: 忆阻器, 非线性模型, 串并联电路, 图形用户界面 PACS: 85.35.–p, 73.40.Rw, 84.32.–y, 84.30.Bv DOI: 10.7498/aps.63.128502 考虑非线性离子迁移现象, 即所谓的理想忆阻器模 1 引 言 型或线性离子迁移忆阻器模型2123 . 然而, 实际 中一个微小的电压就会在纳米忆阻器中形成巨大 1 1971 年, Chua 教授 根据电路理论公理化体 的电场, 导致一种快速而显著的能量势垒的减小, 系的完备性阐述并定义了忆阻器的概念, 称之为除 使得离子迁移表现出非线性24 . 理想的忆阻器模 了电阻、电感、电容之外的第四种基本元器件. 2008 型不能完全模拟实际器件的特性, 因此建立忆阻器 年5 月, 美国惠普实验室的研究人员公布了基于二 非线性离子迁移模型更具实际意义. 氧化钛的交叉阵列存储结构, 并指出交叉点处的存 储单元即为Chua 预言的忆阻器24 , 立刻引起了 随着忆阻器件的研究日益广泛, 研究者开始对 学术界和工业界的广泛关注. 实验证实, 纳米忆阻 多个忆阻器组合电路产生更多的兴趣, 因其具有更 器具有独特的开关转换机制、自动的记忆功能、连 加丰富的器件特性, 有望在众多应用中展现更为突 续的输入输出特性, 在非易失性存储器、人工神经 出的优势. 目前, 大部分涉及忆阻器串并联系统的 网络、大规模集成电路、非线性电路和图像处理等 工作都只是将某一种忆阻器串并联情况置于某种 方面有着巨大的应用潜能514 . 目前, 对忆阻器理 特定的应用中进行分析2022232527 , 尚没有出现 论模型和器件性能的研究日益深入, 多种忆阻器模 对忆阻器串并联电路的全面剖析. 本文首先推导了 型被提出且得到广泛应用1520 , 其中部分模型未 更为实际的非线性电荷控制及磁通控制的忆