第3章--程序设计概要.pptVIP

当程序中的某些指令需要反复执行多次时，采用循环程序的方式，这样会使程序缩短，节省存储单元（并不节省执行时间）。 循环次数的控制，有两种控制方式: 第一种方法 先判断再处理即先判断满不满足循环条件，如不满足，就不循环，多以循环条件控制。 第二种方法 先处理再判断，即循环执行一遍后，下一轮还需不需要进行，多以计循环次数控制。循环可以有单重循环和多重循环，在多重循环中，内外循环不能交叉，也不允许外循环跳入内循环。下面通过几个实例说明循环程序的设计方法。 3.5 循 环 程 序 设 计 例 3-9 设计一个延时10ms的延时子程序，已知单片机使用的晶振为6MHz。 分析 ： 延时时间与两个因素有关:晶振频率和循环次数。由于晶振采用6MHz，一个机器周期是2μs，用单循环可以实现1ms延时，外循环10次即可达10ms延时。 内循环如何实现1ms延时呢，程序中可先以未知数MT代替，从附录A查每条指令机器周期计算程序的执行时间。 ORG 0020H MOV R0，#0AH ；外循环10次 DL2：MOV R1，#MT ；内循环MT次 DL1：NOP NOP ；空操作指令 DJNZ R1，DL1 DJNZ R0，DL2  RET 1 1 1 1 2 2 内循环DL1到指令DJNZ R1，DL1的计算： （1+1+2）×2μS×MT=1000μS MT=125=7DH 将7DH代入上面程序的MT，计算总的延时时间： {1+[1+（1+1+2）×125+2] × 10}×2μS =10062μS=10.062mS 若需要延时更长时间，可以采用多重循环。 机器周期数 内 外 例3-10 编写多字节数×10程序。 内部RAM以20H为首址的一片单元中存放着一个多字节无符号数，字节数存放在R7中，存放方式为低位字节在低地址，高位字节在高地址，要求乘10后的积仍存放在这一片单元中。 分析:用R1作该多字节的地址指针，部分积的低位仍存放于本单元，部分积的高位存放于R2，以便和下一单元的部分积的低位相加。以R7作字节数计数。 编程如下： ORG 0000H CLR C ;清进位位C MOV R1，#20H ;R1指示地址 MOV R2，#00H ;存积的高八位寄存器R2清0 S10:MOV A, ＠R1 ;取一字节送A MOV B，#0AH ;10送B PUSH PSW MUL AB ;字节乘10 POP PSW ADDC A，R2 ;上次积高八位加本次积低八位 MOV @R1，A ;送原存储单元 MOV R2，B ;积的高八位送R2 INC R1 ;指向下一字节 DJNZ R7，S10 ;未乘完去SH10，否则向下执行 MOV @R1，B ;存最高字节积的高位 SJMP $ 例3-11把片内RAM中地址30H-39H中的10个无符号数逐一比较，并按从小到大的顺序排列这片单元中 分析：为了把10个单元中的数从小到大排列，可从30H单元开始，两数逐次比较，保存小数取出大数，且只要有地址单元内容互换就置位标志。多次循环后，若两数比较不再出现单元互换的情况，就说明从30H-39H单元中的数已全部从小到大排列完毕。 例如 12 23 65 09 89 比较大小 不交换(0) 12 23 65 09 19 12 23 65 09 19 交换(1) 12 23 09 65 19 不交换(0) 交换(1) 12 23 65 09 19 12 23 09 19 65 最大 交换(1) 不交换(0) 12 23 09 19 65 12 09 23 19 65 交换(1) 12 09 19 23 65 不交换(标志位不变) 交换(1) 12 23 09 19