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光电池实验总结 　　硅光电池的线性响应　　【实验目的】　　1.了解光电池线性响应的实用意义；　　2.学习和掌握测定硅光电池线性工作范围的一种方法。　　【实验仪器】　　溴钨灯，尼科尔棱镜一对，硅光电池，灵敏电流计，电阻箱二只，直流稳压电源，聚光透镜，电键　　【实验原理】　　硅光电池是利用光生伏打效应设计的一种半导体光电探测器，其特点是不需要外加电源。硅光电池的结构如图1(a)所示。半导体硅受光照时，硅中形成电子—空穴对，电子被结电压吸入半透明金属膜，因而结电压降低，金属膜变成负电势，金属基极对透明金属膜层为正电势，这个电势差值与入射光通量有关。如果用导线接入电流计，就会产生光电流。如果光电流的大小与入射光通量有线性关系，则用光电池探测光信号强度，可进行客观、准确而不失真的测量。　　线性响应是光电探测器的重要性能指标之一，也是实际使用光电池时必须保持的正常工作条件。但是在测量各种光信号的强度时，信号强度变化幅度可能较为悬殊，因此使用光电池前，必须了解它的线性响应的强度范围。硅光电池的等效电路如图1(b)所示。它与电池一样有一个内阻R?，同时还相当于一个平板电容C，C与R?并联，R表示硅光电池的负载电阻，当入射光通量?照射到硅表面时，产生光电流为i，其中一部分i1流过R?，另一部分i2流过R，则　　i?i1?i2　　图1　　S　　?i　　?　　而在外电路中测量到的光电流为i2，因光电池的积分灵敏度为　　因此可计算得　　i2?S?R?　　(R??R)　　由于半导体的特性，硅光电池的内阻R?随入射光通量?而变，?增大时，R?变小。严格地讲，i2与?无线性关系，而当R较小时，R?的变化对i2影响较小，i2与?接近线性关系。因此，在实际使用中，要选用低内阻的电流计作测量仪表，或用补偿平衡电路。　　如图2所示，平行光通过起偏棱镜N1后，形成强度为I0的平面偏振光，其偏振方向平行于棱镜的主截面，如果使该平面偏振光再通过检偏器棱镜N2，由马吕斯定律可知，通过N2的透射光强I为　　I?I0cos　　2　　?　　式中?为两偏振棱镜主截面之间的夹角。由式可见，透过N2的光强随?的不同而变化。现将该透射光照射在光电池上，假设硅光电池的工作范围处于线性响应区域，则由硅光电池产生的光电流i应与入射光的强度I成正比，即i=c1I，将此关系代入式，得　　i?c2cos　　2　　?　　(　　c2?c1I0)　　将上式两侧取对数，则lgi?lgc2?2lgcos?即变量下，存在线性关系，电流值i,作线，但其中有一段　　应的电流变化范围，就是该硅光电池的线形工作区域。　　图2　　i?c1I　　和间在成立条件　　且斜率为2。测量不同?角时的　　lgi?lgcos?　　图线，一般它为曲　　是斜率为2的直线，该段直线对　　【实验内容】　　1.按图3安置实经透镜L后射出平行到待测硅光电池Pc上，值。　　图3　　验装置，光源S为溴钨灯，光，经过尼科尔棱镜，照射灵敏电流计G显示出光电流　　2.由于半导体硅的固有特性，硅光电池的内阻随入射光强增大而减少，硅光电池产生的光电流除与入射光强有关外，还与外电路负载电阻有关。根据光电池的等效电路分析可知，外负载电阻愈小，光电池的线性响应愈高。若用灵敏电流计显示，则外负载电阻即电流计内阻　　Rg　　，所以应选用低内阻的灵敏电流计。在具体测量时，光电流变化范围较大，须改变电　　Rg　　流表的量程，为使量程改变时外接电阻总阻值不变，可采用图3所示的电路，即先将R1与串联，再和R2并联后接入光电池电路，当满足关系式　　R1?(n?1)Rg　　等。　　R2?　　nn?1　　Rg　　时，光电池外负载电阻总值不变。式中n为电流计量程的扩大倍数，一般选n=3,10,30,100,…1．测定硅光电池的线性工作范围调节光路，使之共轴。　　转动尼科尔棱镜，使两棱镜N1和N2的主截面正交，这时灵敏电流计的指示应为零，但由于漏电流和背景杂散光的干扰，电流计的示值一般不为零，可通过改变电流计的零点扣除此项影响。　　固定光源的工作电压，保持一定的光照度。从消光位置开始，逐次改变?值，测出相应光电流i,作lgi?lgcos?曲线，确定斜率为2的直线段对应的电流变化范围。提高光源的工作电压，尽量扩大光强变化范围，再作lgi?lgcos?曲线。换用高内阻的电流计，再测lgi?lgcos?曲线，与步骤、结果比较，以观察外负载电阻对光电池线性响应的影响。。　　用照度计测定光电池受光面处的光照强度，标定与光电池线性工作范围对应的入射光照度的分布范围。　　【复习思考题】　　1.如测得光电探测器的lgi?lgcos?图线为一直线，则光电流即与入射光强成正比，这话对不对，