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半导体三极管及其放大电路总结
半导体三极管及其放大电路 一、选择题 1.晶体管能够放大的外部条件是_________a发射结正偏,集电结正偏b发射结反偏,集电结反偏c发射结正偏,集电结反偏答案:c 2.当晶体管工作于饱和状态时,其_________a发射结正偏,集电结正偏b发射结反偏,集电结反偏c发射结正偏,集电结反偏答案:a 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 答案:b 4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________abc答案:b 5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为,和。则该管的β为_____a40b50c60答案:c 6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_________a越好b越差c无变化答案:a 7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________a高b低c一样答案:a 8.温度升高,晶体管的电流放大系数________a增大b减小c不变答案:a 9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_________a升高b降低c不变答案:b 10.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_________极的电位最低。a发射极b基极c集电极答案:c 11.温度升高,晶体管输入特性曲线_________a右移b左移c不变答案:b 12.温度升高,晶体管输出特性曲线_________a上移b下移c不变答案:a 12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_________a不变b减小c增大答案:c 12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a两者无关b有关c无法判断答案:a 15.当晶体管的集电极电流IcmIc时,下列说法正确的是________a晶体管一定被烧毁b晶体管的PC=PCMc晶体管的β一定减小答案:c 16.对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强________a输入电阻b输出c电压放大倍数答案:b 17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-,则该管为_________aNPN型锗管bPNP型锗管cPNP型硅管答案:b 18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-,则该管_________a处于饱和状态b放大状态c截止状态d已损坏答案:c 19在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________a同相b反相c相差90度答案:b 20在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_________失真 a饱和b截止c饱和和截止答案:a 21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a输入电阻太小b静态工作点偏低c静态工作点偏高答案:c 23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a输出功率b静态工作点c交流参数答案:c 25.既能放大电压,也能放大电流的是_________放大电路。a共射极b共集电极c共基极答案:a 26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______ a晶体管的电流放大系数太大b电源电压太高c晶体管参数随环境温度的变化而变化答案:c 27.在放大电路中,直流负反馈可以________ a提高晶体管电流放大倍数的稳定性b提高放大电路的放大倍数c稳定电路的静态工作点答案:c 28.可以放大电压,但不能放大电流的是_________放大电路。a共射极b共集电极c共基极答案:c 29.射极输出器无放大_________的能力。a电压b电流c功率答案:a 30.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是_______放大电路。a共射极b共集电极c共基极答案:b 31.与空载相比,接上负载后,放大电路的动态范围一定_______a不变b变大c变小答案:c 32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3kΩ的负载后输出电压降为3V,则此电路的输出电阻为_______ a1kWc2kW答案:b 35.在多级放大电路中,即能放大直流信号,又能放大交流信号的是_______多级放大电路。a阻容耦合b变压器耦合c直接耦合答案:c 36.直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式答案:× 56.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的; 答案:× 57.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;答案:× 58.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;答案:√ 59.由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;答案:× 60.只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。答案
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