固体分子轨道理论课件.pptVIP

二 晶体电子的共有化 从“线”状晶体势能曲线看： 处于低能级E1的电子在“势谷”中，势能曲线是一种势垒，电子穿透势垒概率很小，可认为它们处于束缚态； 处于较高能级E2接近势垒高度的电子，会因隧道效应而穿越势垒进入另一个原子中，原来隶属于某一原子的电子，此时为晶体的几个原子共有，称这些电子是共有化电子，称这种由于晶体原子周期排列而使价电子不再为单个原子所有的现象为电子的共有化。 固体能带理论是在分子轨道理论的基础上发展起来的。 该理论把晶体中所有的原子看成一个大分子。 各原子的原子轨道相互作用，形成一系列分子轨道，其数目与原子轨道数目相同。 三 能带理论 三 能带理论 ●能带：由于晶体中原子数目N极大，所以这些分子轨道之间的能级间隔极小，几乎连成一片，原本孤立原子的一个能级，分裂成多条靠得很近的能级形成能带。 能带宽度记作?E，?E数量级100eV， 若N~1023，则能带中两能级间距约为10-21eV， 便于电子能级间跃迁。 三 能带理论 ●能带中电子的排布 一个电子只能处在某个能带中的某一能级上，排布原则为： （1）服从泡利不相容原理； （2）服从能量最小原理。 设孤立原子的一个能级En? ,它最多能容纳2(2?+1)个电子。 这一能级分裂成由N条能级组成的能带后，能带最多能容纳 2N(2?+1)个电子。 例如，1s、2s能带，最多容纳2N个电子； 2p、3p能带，最多容纳6N个电子。 三 能带理论 有关能带被占据情况的几个名词： 1.满带：被电子填满的能带，满带不导电； 2.导带：由未充满电子的能级所组成的高能量能带称为导带（价带），未被电子填充的能带，叫做空带； 3.禁带：满带与导带之间的能量相差很大，电子不易逾越。 四 导体、绝缘体和半导体 （1）金属导体的能带结构 金属的导带与满带重叠或价带未被电子填满。 导体在外电场的作用下，大量共有化电子极易获得能量越入导带，集体逆电场方向定向流动形成电流，表现出良好的导电性；当温度升高时，价电子热运动加剧，阻碍电子逆电场方向的运动，所以一般金属电阻随温度升高而变大。 四 导体、绝缘体和半导体 （2）绝缘体的能带结构 绝缘体的导带是空带，导带与满带间的 禁带宽度相当厚。?E3=3~6eV 由于?E3较大，一般的热激发、光激发或外加电场不太强时，满带中共有化电子电子很难跃迁到空带，电子只能以极小的概率穿过势垒到达空带，形成微弱电流。 当外电场足够强，致使满带中的共有化电子势能大于?E3时，满带中的电子会雪崩式跃迁入导带而形成电流，此时绝缘体变成导体，这就是点击穿现象。 当绝缘体温度升高时，满带中电子的热运动将有利于电子向导带跃迁，因此绝缘体的电阻随温度的升高反而降低。 四 导体、绝缘体和半导体 （3）半导体的能带结构 半导体分本征半导体和杂质半导体 本征半导体指纯净的不含杂质和缺陷的 理想半导体。能带结构是绝缘体能带结构的缩影，仅区别于禁带宽度：?E2=0.1~2eV ?E3=3~6eV 半导体禁带宽度较小，一般加热、光照、加电场都能激发电子从满带到达导带而形成电流，同时在满带中形成“空穴”，这表现为本征半导体的电阻比金属大，比绝缘体小。 半导体的电阻也随着温度的升高而降低。 四 导体、绝缘体和半导体 本征半导体内电子和空穴总成对出现，均称本征载流子，形成本征半导体的本征导电性。 电子导电——半导体的载流子是电子 空穴导电——半导体的载流子是空穴 空穴导电：在外电场作用下，空带中的电子逆电场方向运动，与此同时，满带中的电子也将逆电场方向逐个填补空穴，其效果相当于空穴顺电场方向的运动。 例如硅（Si）和锗（Ge）等， 它们是四价元素，有四个价电子， 因此每个原子周围有着对称分布 的8个电子。 四 导体、绝缘体和半导体 杂质半导体 四价本征半导体硅、锗等掺入少量五价杂质P、As等,即使掺入百万分之一的微量，也会显著改变半导体的性质，称这种半导体为杂质半导体。 这是因为砷(As)有5个价电子，使硅砷相邻处的电子分布似乎“多了”一个电子，构成电子型杂质半导体，也称n型半导体。 参杂后多余电子的能级在禁带中紧靠空带处，n型半导体这种多余电子在禁带上部形成的新能级，叫施主能级。 n型半导体的多数载流子是电子。 四 导体、绝缘体和半导体 四价本征半导体硅、锗等掺入少量三价杂质B、Ga等，也会显著改变其物理性质，构成杂质半导体。 由于镓只有3个价电子，使锗镓相邻处电子分布似乎“多了”一个空