模拟电子技术基础-03二极管及其基本电路分解.pptVIP

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  • 2019-04-30 发布于中国
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模拟电子技术基础-03二极管及其基本电路分解.ppt

半导体的特性简介 通过掺入杂质可明显地改变半导体的电导率 (1) PN结加正向电压时 (2) PN结加反向电压时 (1) 最大整流电流IF 是指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏。例如2AP1最大整流电流为16mA。 (2) 反向击穿电压VBR 指管子反向击穿时的电压值。击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。例如2AP1最高反向工作电压规定为20V,而反向击穿电压实际上大于40V。 (3) 反向电流IR 指管子未击穿时的反向电流,其值愈小,则管子的单向导电性愈好。由于温度增加,反向电流会明显增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。 (4) 极间电容Cd(CB、 CD ) (5) 反向恢复时间TRR 由于二极管中PN结电容效应的存在,当二极管外加电压极性翻转时,其正、反向电流不能在瞬间完全按照单向导电性变化。特别时外加电压从正向偏置变成反向偏置时,二极管中电流由正向变成反向,但其翻转后瞬间有较大的反向电流,经过一定时间后反向电流才会变得很小。二极管由正向导通到反向截止时电流的变化图3.3.5所示。其中IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流,TRR为反向恢复时间。 (5) 反向恢复时间TRR

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