太阳能多晶硅片表面线状缺陷的形貌特征及形成原因.pdfVIP

第33卷第5期 太阳能学报 V01．33，No．5 2012年5月 ACTAENERGIAE SOLARISSINICA May。2012 文章编号：0254-0096(2012)05-0802-04 太阳能多晶硅片表面线状缺陷的形貌特征及形成原因 邱深玉”，李样生2，余方新2，刘桂华2，陈楠2 (1．南昌工程学院理学系。南昌3300992．南昌大学材料科学与工程学院，南昌330031) 摘要：研究了定向凝固生长的多晶硅线切割过程中在多晶硅片表面产生的线状缺陷的形貌特征及其形成机制。 分别采用扫描电子显微技术和x射线衍射技术对多晶硅片线切割引起的线状缺陷的形貌特征及夹杂物进行研究， 结果表明：多晶硅片表面线切割过程中形成的线状缺陷是因SiC夹杂物的存在而引起的，当切割钢丝与多晶硅中 的SiC夹杂物相遇时，在拉力作用下钢丝爬越SiC夹杂物，同时在SiC夹杂物的表面发生研磨现象，在多晶硅片表 面留下线状缺陷。 关键词：多晶硅；线状缺