半导体硅片的化学清技术69651.docVIP

半导体硅片的化学清洗技术  一. 硅片的化学清洗工艺原理# \3 _! M. A??z0 V0 X3 P$ Q4 W* |- J2 Y　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：$ }??v% }# h ?2 K T　　A. 有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。　　B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。; G U% i+ x( N q/ e　　C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：　　a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。　　b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。　　a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 　　b. 用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金9 |. j b; d: y( M+ V$ Z( L2 u6 Y属离子，使之溶解于清洗液中。0 T4 e* n??w1 W; s% }. P O　　c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。( d B9 R+ ^ A* ?: T! f??}+ {1 A5 u　　自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如 ：; f. @, L7 K+ b1 ^; O5 A- ^4 ]⑴ 美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。6 p6 H+ s$ v6 F⑵ 美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术。4 w- G# U H; _⑶ 美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）。⑷ 美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）。 ⑸ 曰本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。⑹ 以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。3 O3 `: W- h6 Q- p+ |: c F/ F K* M+ e E; q　　目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子。 T* H8 k0 J8 \2 \, f??l5 o　　SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。　　由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。 ]4 y- r4 ~4 n Q h, q　　为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。( J# d4 o, g) p: `5 v　　SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。- o i8 \7 O6 y??v2 y　　在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。 ! a# a0 C) k, ^ U$ Z 二. RCA清洗技术7 w: n {; s, E+ x% s6 Q: A8 C% ]; n3 d7 T1 G　　传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统% O1 H1 @. W: K+ c F　　清洗工序： SC-1 → DHF → SC-2$ V# F1 m$ m: p. M l??@　　1. SC-1清洗去除颗粒：??c9 `) G+ q; R8 P( ]⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。) H; \??Y- R n) x0 Z! }8 L |! p f J: h) X3 o⑵ 去除颗粒的原理：　　硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。① 自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。! m$ ?$ L) `3 }??K9 {1 B②