东南大学材料科学基础-第7章晶体缺陷讲义.pptVIP

7.6 实际晶体中的位错 2、堆垛层错 堆垛层错：实际晶体中堆垛顺序与正常的堆垛顺序出现差异。 抽出型层错 插入型层错 7.6 实际晶体中的位错 形成堆垛层错后并没有产生点阵畸变，也不改变最近邻关系，仅仅改变了原子间的次近邻关系，但是它破坏了晶体的周期性和完整性，因此也会导致晶体能量的增加，这部分增加的能量称为层错能，层错能越小，层错出现的几率越大。 7.6 实际晶体中的位错 7.6.3 不全位错 如果堆垛层错不是发生在整个晶面上，而是终止在晶体内部 ，则层错与完整晶体的交界处就存在柏氏矢量b不等于点阵矢量的不全位错。 7.6 实际晶体中的位错 一、 肖克莱不全位错 ? 在(111)面上把任意一层原子面以上的部分晶体沿b1方向作相对滑移，这样形成的位错是全位错。 　　但是这样运动能量较大，如果按如图所示的路径，分两步滑动，引起的晶体畸变要小得多。 7.6 实际晶体中的位错 7.6 实际晶体中的位错 肖克莱位错的特点： 柏氏矢量平行于层错面； 由于层错只能位于一个平面上，因此位错为二维曲线； 只能滑移，造成层错面的扩大或缩小，不能攀移； 位错可为刃型、螺型和混合型。 7.6 实际晶体中的位错 7.6 实际晶体中的位错 7.6 实际晶体中的位错 二、弗兰克不全位错 ??? 如果在fcc晶体的{111}面间插入或