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半导体二极管特性的研究物理实验报告
实验3半导体二极管伏安特性的研究 世界上的物质种类繁多,但就其导电性能来说,大体上可分为导体、绝缘体和半导体三类。某些物质,如硅、锗等,它们的导电性能介于导体和绝缘体之间,被称为半导体。半导体之所以引起人们极大的兴趣,原因并不在于它具有一定的导电能力,而在于它具有许多独特的性质。同一块半导体材料,它的导电能力在不同的条件下会有非常大的差别,比如,在很纯的半导体中掺入微量的其他杂质,它的导电性能将有成千上万倍地增加,并且可以根据掺入杂质的多少来控制半导体的导电性能。人们正是利用半导体的这种独特的性质做出了各种各样的半导体器件。 本实验通过对常用的半导体器件—二极管特性的研究,了解PN结的特性、结构和工作原理,并测量二极管的部分参数。 【实验目的】 1、了解PN结产生的机理和它的作用。 2、学习测量二极管伏安特性曲线的方法。 3、通过实验,加深对二极管单向导电特性的理解。 【仪器用具】 HG61303型数字直流稳压电源、GDM-8145型数字万用表、滑线变阻器、FBZX21型电阻箱、C31-V型电压表、C31-A型电流表、FB715型物理设计性实验装置、可调电阻及导线若干、普通二极管、发光二极管、稳压二极管等 【实验原理】 1.电学元件的伏安特性 在某一电学元件两端加上直流电压,在元件内就会有电流通过,通过元件的电流与其两端电压之间的关系称为电学元件的伏安特性。一般以电压为横坐标,电流为纵坐标作出元件的电压-电流关系曲线,称为该元件的伏安特性曲线。 对于碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻等电学元件,在通常情况下,通过元件的电流与加在元件两端的电压成正比,即其伏安特性曲线为一通过原点的直线,这类元件称为线性元件,如图3-1的直线a。至于半导体二极管、稳压管、三极管、光敏电阻、热敏电阻等元件,通过元件的电流与加在元件两端的电压不成线性关系变化,其伏安特性为一曲线,这类元件称为非线性元件,如图3-1的曲线b、c。伏安法的主要用途是测量研究非线性元 件的特性。一些传感器的伏安特性随着某一物理量的变化呈现规律性变化,如温敏二极管、磁敏二极管等。因此分析了解传感器特性时,常需要测量其伏安特性。 图3–1电学元件的伏安特性 在设计测量电学元件伏安特性的线路时,必须了解待测元件的规格,使加在它上面的电压和通过的电流均不超过元件允许的额定值。此外,还必须了解测量时所需其他仪器的规格,也不得超过仪器的量程或使用范围。同时还要考虑,根据这些条件所设计的线路,应尽可能将测量误差减到最小。 测量伏安特性时,电表连接方法有两种:电流表外接和电流表内接,如图3-2所示。 电流表内接;电流表外接 图3–2电流表的接法 电压表和电流表都有一定的内阻。简化处理时可直接用电压表读数U除以电流表读数I来得到被测电阻值R,即R=U/I,但这样会引进一定的系统性误差。使用电流表内接时,R实测值偏大;使用电流表外接时,R实测值偏小。通常根据待测元件阻值及电表内阻,选择合适的电表连接方法以减小接入误差的影响:测量小电阻时常采用电流表外接;测量大电阻时常采用电流表内接。如果已知电压表和电流表的内阻,利用下列公式可以对被测电阻R进行修正。 当电流表内接时: R? 当电流表外接时:U?RAI 1I1??RURV 测量电学元件特性应注意以下几点: (1)要了解元件的有关参数、性能特点,实验中应保证元件安全使用、正常工作。加在元件上的电压及通过它的电流都应小于其额定数值。 (2)安排测量电路时,电位器电路的选择应考虑到调节方便,能满足测量范围的要求。实验中经常采用分压电路,电路图见图3-3。为调节方便,一般电位器阻值应小于负载电阻,但是电位器阻值过小会加重电源的负担。如细调程度不够,可以采用两个电位器组成二级分压电路或粗、细调电路。 图3–3分压电路 (3)使用指针式电表选取电表量程时,既要注意测量值不得超量程以保证仪表安全,又要使读数尽可能大以减小读数的相对误差。测量前应注意观察记录电表的机械零点。如零点不对,可小心调节调零螺丝,或记下零点值,进行系统误差修正。 (4)确定测量范围时,既要保证元件安全,又有覆盖正常工作范围,以反映元件特性。根据测量范围选定电源电压。 (5)合理选取测量点可以减小测量值的相对误差。测量非线性元件时,选择变化较大的物理量作为自变量较为方便,可以等间隔取测量点,在测量值变化较大时可适当增加测量点。 (6)在正式测量之前,应对被测元件进行粗测,以大致了解被测元件特性、物理规律及变化范围,然后再逐点测量。 2.PN结的形成 根据半导体物理学理论,在一块纯净半导体上,掺以不同的杂质,使一边成为N
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