光电检测技术.pptx

;参考书目;目 录;3.3 半导体光电器件 光电导器件: 光敏电阻 光伏器件: 光电池/光电二极管/三极管 3.4 真空光电器件 光电管 光电倍增管 3.5 热电检测器件 热敏电阻 热电偶和热电堆 热释电探测器件;第四章 发光、耦合和成像器件 4.1 发光二极管 4.2 激光器 4.3 光电耦合器件 4.4 CCD 第五章 光电检测系统 5.1 直接光电检测系统 5.2 光外差光电检测系统 5.3 典型的光电检测系统 第六章 光纤传感检测 第七章 光电信号的数据采集与微机接口 第八章 光电检测技术的典型应用;第一章 绪 论;1.光电系统描述;光电系统的作用体现在如下三个方面 1）在经典光学理论中，作为一种视觉的延伸，如经典的光学仪器。 2）在信息光电子学中，光作为一种载体，能实现信息的传递和探测功能，如光探测系统、光通讯系统、光信息识别系统。 3）在能量光电子学中，光作为一种能量系统完成特定的功能，如激光加工技术，武器系统等。;光电检测技术;光电检测是信息时代的关键技术;光电检测技术;光学变换 时域变换：调制振幅、频率、相位、脉宽（干涉、衍射） 空域变换：光学扫描（扫描盘） 事实上是光学参量调制：光强、波长、相位、偏振 形成能被光电探测器接收，便于后续电学处理的光学信息。 光电变换 光电/热电器件（传感器）、变换电路、前置放大 将光信息变为能够驱动电路处理系统的电信息（电信号的放大和处理）。 电路处理 放大、滤波、调制、解调、A/D、D/A、微机与接口、控制。 ;光电探测器的种类;光电检测系统;光电检测系统组成;光电系统组成;光电检测系统的功能分类;控制跟踪型 跟踪控制：激光制导，红外制导 数值控制：自动定位，图形加工形成，数值控制 图象分析型 图形检测 图形分析;光电检测技术的特点;光电检测技术研究热点;一、在工业生产领域的应用;二、在日常生活中的应用;三、在军事上的应用;美国国家导弹防御计划---NMD;学习本课程的目的;本课程的学习内容;第二章 光电检测技术基础;光的基本性质 辐射与光度学量 半导体基础知识 光电效应;半导体基础知识;导体、半导体和绝缘体;半导体的特性;本征和杂质半导体;平衡和非平衡载流子;非平衡载流子的产生;载流子的输运过程;半导体对光的吸收;;杂质吸收和自由载流子吸收;PN结; PN 结反向偏置; PN结的伏安特性曲线 ;半导体的物理效应:光电效应与光热效应;外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物 发生过程与发生条件 内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应 光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象;光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 PN结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射PN结时，由于内建场的作用（不加外电场），光生电子拉向n区，光生空穴拉向p区，相当于PN结上加一个正电压。 半导体内部产生电动势（光生电压）；如将PN结短路，则会出现电流（光生电流）。;光热效应：物体吸收光辐射后，不直接引起原子或分子内部电子状态的改变，而是把吸收的光能量变为晶格的热运动能量，引起物体温度上升，进而引起物体电学特性或其他物理性质发生改变。;第三章 光电检测器件;光电器件的类型与特点 光电器件的基本特性参数 半导体光电器件 光电导器件—光敏电阻 光伏器件 光电池 光电二极管/三极管 真空光电器件 光电管 光电倍增管 热电检测器件 热敏电阻 热电偶和热电堆 热释电探测器件;光电检测器件的类型;光电检测器件;光电检测器件的特点;3.2 器件的基本特性参数;一、响应特性;;２．光谱响应度：探测器在波长为λ的单色光照射下，输出电压或电流与入射的单色光功率(或者光通量）之比． ３．积分响应度：检测器对各种波长光连续辐射量的反应程度．;４．响应时间：响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。 上升时间：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。 下降时间：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。;光电探测器响应率与入射调制频率的关系 为调制频率为f 时的响应率 为调制频率为零时的响应率 　?　为时间常数（等于RC） ;：上限截止频率 时间常数决定了光电探测器频率响应的带宽;二.光电转换定律;量子效率与响应度的关系;三、噪声特性;噪声在实际的光电探测系统中是极其有害的。 由于噪声总是与有用信号混在一起，因而影响对信