数字电路与逻辑设计-第2讲附.pptVIP

B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 制成晶体管的材料可以为硅或锗 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：很薄，面积小，掺杂浓度低 集电区：面积大，掺杂浓度中 发射区：掺 杂浓度高 B E C N N P VBE RB VCE IE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结，形成电流ICE 。 RC IBE 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 ICE IB=IBE -ICBO?IBE IC=ICE+ICBO ?ICE B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IBE ICBO：发射极开路时集电结反向饱和电流 晶体管中的载流子运动和电流分配 JFET Joint Field Effect Transistor 中文名称： 结型场效应管 MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 中文名称： 绝缘栅型场效应管，或称金属氧化物半导体场效应管 场效应管有两种: 四、场效应管（ Field Effect Transistor） 1、结型场效应管（JFET） 具体分为： ① N沟道结型场效应管 ② P沟道结型场效应管 ① N沟道结型场效应管 D G S D G S N P P G（grid） S（source） D（drain） 基底:N型半导体 两边是P区 导电沟道 P N N G（grid） S（source） D（drain） ② P沟道结型场效应管 D G S D G S P G S D UDS UGS N N N N ID 工作原理（以P沟道为例） 设UDS=0V PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 当UGS比较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 ① 栅源电压UGS对导电沟道的影响 P G S D UDS UGS N N UGS达到一定值时（夹断电压VP），耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID 夹断电压 Pinch off voltage 可见，UGS控制着漏源之间的导电沟道。当UGS增加到某一数值VP时，两边耗尽层合拢，整个沟道被耗尽层完全夹断。（VP称为夹断电压）。此时，漏源之间的电阻趋于无穷大，管子处于截止状态。 设UDS=0V P G S D UDS UGS ID ② 漏源电压UDS对漏极电流ID的影响 设UGS Vp且UGS不变 N N 越靠近漏端，PN结反偏越大。沟道中仍是电阻特性，但呈现为非线性电阻。 当UDS较小，UGDVP时 P G S D UDS UGS ID 设UGS Vp且UGS不变 漏端的沟道被夹断，称为预夹断。 当UDS继续增加，UGD＝VP时 N N 若UDS继续增大，则UGDVP ，被夹断区向下延伸。 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 * 内电场的计算公式是:Vbi=k*T/e*ln(Na*Nd/ni2)=VT*ln(Na*Nd/ni2)? 注:ni2指ni的平方Vbi为内电场强度,VT=k*T/e:称为热力学电压,当T=300K时,VT=0.026V,(注;VT是一个变量,并不是V*T)k为玻耳曼常数,T为绝对温度,e为电子电量,Na和Nd分别是P区和N区中受主杂质(硼)和施主杂质(磷/砷)的浓度一般硅型PN结(即硅二极管)在T=300K(室温)时:Vbi=0.757左右. (注意:是硅,不是锗)因T的不同和工艺上的差异:Vbi有0.1-0.2V范围的差异.而二极管要正向导通,就必须有正偏克服内电场,所以下向压降在0.7V左右. * 实际的PN结，当反向电压足够大时，反向电流会突然增加，这种现象叫PN结的反向击穿。反向电流开始突增时所对应的电压叫击穿电压。 反向击穿的机理有两种：雪崩击穿和齐纳击穿。  ① 雪崩击穿  PN结的反向电流是由少数载流子的运动产生的。当外加反向电压加大时．内电场增强，使载流子加速。这些加速的载流子，在与阻挡层中的中性原子相碰时，会有足够的能量破坏原子的共价键，产生新的电子——空穴对。这些新的电子——空穴对又从电场获得足够的能量与原子碰撞．继续产生另外的电子——空穴对。这个过程象“雪崩”一样，使电流迅速增大，所以称为雪崩击穿或雪崩效应。 ② 齐纳击穿  当PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，只要加上不太大的反向电压(例如6v)就能建立很强的电场．这个电场能把阻挡层中的价电子直接拉出共价键，产生大量的新的电子——空穴对，使反向电