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单片机IO口控制实验
实验目的
1、熟悉MCS-51的I/O结构;
2、掌握MCS-51 I/O的使用方法;
3、掌握MCS-51的中断机制。
实验原理
MCS-51单片机的硬件结构片内结构:
内部数据存储器(字节地址为00H~0FH):
SFR的名称及其分布:
I/O端口地址:
P0~P3端口功能总结:
(1)P0~P3口都是并行I/O口,但P0口和P2口,还可用来构建系统的数据总线和地址总线,所以在电路中有一个MUX,以进行转换。而P1口和P3口无构建系统的数据总线和地址总线的功能,因此,无MUX。 P0口的MUX的一个输入端为“地址/数据”信号。P2口的MUX的一个输入信号为“地址”信号。
(2)在4个口中只有P0口是一个真正的双向口,P1~P3口都是准双向口。
原因:P0口作数据总线使用时,需解决芯片内外的隔离问题,即只有在数据传送时芯片内外才接通;不进行数据传送时,芯片内外应处于隔离状态。为此,
P0口的输出缓冲器应为三态门。 P0口中输出三态门是由两只场效应管(FET)组成,所以是一个真正的双向口。
P1~P3口,上拉电阻代替P0口中的场效应管,输出缓冲器不是三态的-准双向口。
(3)P3口的口线具有第二功能,为系统提供一些控制信号。
因此P3口增加了第二功能控制逻辑。这是P3口与其它各口的不同之处。
P0口结构及特点:
⑴ P0口结构与运作
1个输出锁存器,用于进行输出数据的锁存;
2个三态输入缓冲器,分别用于锁存器和引脚数据的输入缓冲;1个多路开关MUX,它的一个输入来自锁存器,另一个输入是地址/数据信号的反相输出。在控制信号的的控制下能实现对锁存器输出端和地址/数据线之间的切换;由两只场效应管组成的输出驱动电路。
⑵ P0口的特点
P0口是一个双功能的端口:地址/数据分时复用口和通用I/O口;
具有高电平、低电平和高阻抗3种状态的I/O端口称为双向I/O端口。P0口作地址/数据总线复用口时,相当于一个真正的双向I/O口。而用作通用I/O口时,由于引脚上需要外接上拉电阻,端口不存在高阻(悬空)状态,此时P0口只是一个准双向口;
为保证引脚上的信号能正确读入,在读入操作前应首先向锁存器写1;
单片机复位后,锁存器自动被置1;
一般情况下,如果P0口已作为地址/数据复用口时,就不能再用作通用I/O口使用;
P0口能驱动8个TTL负载。
P1口的结构及特点:
⑴ P1口结构与运作
一个数据输出锁存器,用于输出数据的锁存;
两个三态输入缓冲器,BUF1用于读锁存器,BUF2用于读引脚;
数据输出驱动电路,由场效应管VT和片内上拉电阻R组成。
⑵ P1口的特点
P1口由于有内部上拉电阻,没有高阻抗输入状态,所以称为准双向口。作为输出口时,不需要再在片外拉接上拉电阻;
P1口读引脚输入时,必须先向锁存器写入1,其原理与P0口相同;
P1口能驱动4个TTL负载。
P2口结构及特点:
⑴ P2口结构与运作
一个数据输出锁存器,用于输出数据的锁存;
两个三态输入缓冲器,BUF1用于读锁存器,BUF2用于读引脚;
一个多路开关MUX,它的一个输入来自锁存器的Q端,另一个输入来自内部地址的高8位;
数据输出驱动电路由非门M,场效应管VT和片内上拉电阻R组成。
⑵ P2口的特点
P2口用作高8位地址输出线应用时,与P0口输出的低8位地址一起构成16位的地址总线,可以寻址64KB地址空间。
当P2口作高8位地址输出口时,其输出锁存器原锁存的内容保持不变。
作为通用I/O口使用时,P2口为准双向口,功能与P1口一样。
P2口能驱动4个TTL负载。
P3口结构及特点:
⑴ P3口结构组成
一个数据输出锁存器,用于输出数据的锁存;
3个三态输入缓冲器,BUF1用于读锁存器,BUF2、BUF3用于读引脚和第二功能数据的缓冲输入;
数据输出驱动电路,由与非门M,场效应管VT和片内上拉电阻R组成。
⑵ P3口的特点
P3口内部有上拉电阻,不存在高阻输入状态,是一个准双向口;
P3口作第二功能的输出/输入或作通用输入时,均需将相应的锁存器置1。实际应用中,由于复位后P3口锁存器自动置1,已满足第二功能运作条件,所以可以直接进行第二功能操作;
P3口的某位不作为第二功能使用时,则自动处于通用输出/输入口功能,可作为通用输出/输入口使用;
作通用输出/输入口使用时,输入信号取自缓冲器BUF2的输出端,作第二功能使用时,输入信号取自缓冲器BUF3的输出端;
P3口能驱动4个TTL负载。
10、IO口锁存器操作:
IO口锁存器值与IO口值不一定一致,应采用读锁存器-修改-写锁存器来进行IO控制。
11、MCS-51的中断系统:
单片机能及时地响应和处
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