场效应管放电路13912.docVIP

场效应管放大电路 一、选择填空（只填①、②…字样） 1．晶体管是依靠 ⑤ 导电来工作的 ⑦ 器件；场效应管是依靠 ① 导电来工作的 ⑥ 器件（①多数载流子，②少数载流子，③电子，④空穴，⑤多数载流子和少数载流子，⑥单极型，⑦双极型，⑧无极型）。 2．晶体管是 ② ；场效应管是 ① （①电压控制器件；②电流控制器件） 3．晶体管的输入电阻比场效应管的输入电阻 ③ （①大得多；②差不多；③小得多）。 4．晶体管的集电极电流 ② ；场效应管的漏极电流 ① （①穿过一个PN结，② 穿过两个PN结，③不穿过PN结） 5．放大电路中的晶体管应工作在 ② ；场效应管应工作在 ① （①饱和区，②放大区，③截止区，④夹断区，⑤可变电阻区）。 6．绝缘栅型场效应管是利用改变 栅源两极 的大小来改变 沟道电阻 的大小，从而达到控制 漏极电流 的目的；根据 栅源两极电压为零 时，有无 漏极电流 的差别，MOS管可分为 耗尽 型和 增强 型两种类型。 7．NMOS管最大的优点是 输入电阻较大 ；其栅—源电压的极性 为负 ，漏—源电压的极性 为正 ；对于增强型NMOS管，这两种电压的极性 为正 ，对增强型PMOS管这两种电压的极性为 负 。 8．耗尽型场效应管在恒流区的转移特性方程为，它们都是反映 栅源两端电压 对 漏极电流 控制特性的。 9、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 答案：A 二、解答题 2.已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。 图P1.22 解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22（a）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGS值，建立iD＝f（uGS）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22（b）所示。 解图P1.22 3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） 答案：√ 4.若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 答案：× 5.电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当uI＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 解：根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以uGS＝uI。 当uI＝4V时，uGS小于开启电压，故T截止。 当uI＝8V时，设T工作在恒流区，根据 输出特性可知iD≈0.6mA，管压降 uDS≈VDD－iDRd≈10V 因此，uGD＝uGS－uDS≈－2V，小于开启电压， 图P1.23 说明假设成立，即T工作在恒流区。 当uI＝12V时，由于VDD ＝12V，必然使T工作在可变电阻区。 6.UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 答案：A 7.电路如图P5.14所示，已知Cgs＝Cgd＝5pF，gm＝5mS，C1＝C2＝CS＝10μF。 试求fH、fL各约为多少，并写出的表达式。 图P5.14 解：fH、fL、的表达式分析如下：： （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）A C 8.一个JFET的转移特性曲线如图题4.1.3所示，试问： 它是N沟道还是P沟道FET？ 它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？ 解 由图题4．1．3可见，它是N沟道JFET，其VP＝–4 V，IDSS＝3 mA。 9.一个MOSFET的转移特性如图题4．3．3所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向）。试问： （1）该管是耗尽型还是增强型？ （2）是N沟道还是P沟道FET？ （3）从这个转移特性上可求