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第四章 场效应管放大电路 教学内容： 本章首先介绍了各类场效应管的结构、 工作原理、特性曲线及参数，然后介绍场效 应管放大电路和各种放大器件电路性能的比 较。 教学要求： 本章需要重点掌握场效应管的模型与 特性，场效应管基本法大电路静态工作点 的确定和输入电阻、输出电阻、电压放大 倍数得计算。 场效应管是一种利用电场效应来控制其电 流大小的半导体器件。根据结构的不同，场效 应管可分为两大类：结型场效应管(JFET)和金 属 -氧化物 -半导体场效应管(MOSFET)。每一 类又有N沟道和P沟道两种类型。 MOSFET 简称 MOS管，每一类又可分成增强型和耗尽型。 4.1 结型场效应管 JFET是利用半导体内的电场效应进行工作 的，也称为体内场效应管。 2.工作原理 N沟道JFET工作时，在栅极与源极间需加一 负电压(VGS0),使栅极、沟道间的PN结反偏，栅 极电流iG≈0,场效应管呈现高达 107?以上的输 入电阻。在漏极与源极间加一正电压( VDS 0) 使N沟道中的多数载流子(电子)在电场作用下由 源极向漏极运动，形成电流iD。 (1) VGS对iD的控制作用 改变VGS的大小，可以有效的控制沟道 电阻的大小。若在漏源极间加上固定的正 向电压 VDS,则由漏极流向源极的电流iD将 受 VGS 的控制，|VGS|增大时，沟道电阻增 大，iD将减小。 (2)VDS对iD的影响 当VDS=0时，iD =0；随着VDS的逐渐增加， 一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流 iD 增加；另一方面,有了VDS，在由源极经沟 道到漏极组成的 N型半导体区域中，产生了 一个沿沟道的电位梯度。此电位从源端到漏 端逐渐升高，在不同的位置上，栅极与沟道 之间的电位差是不相等的，离源极愈远，电位 差越大，加到该处 PN结的反向电压也越大,耗 尽层越向 N型半导体中心扩展，使靠近漏极处 的导电沟道比靠近源极要窄，导电沟道呈楔形， 所以增加 VDS,又产生了阻碍漏极电流iD 提高的 因素。但在VDS较小时，这个因素是次要的，故 iD 随VDS升高几乎成正比的增大。 当VDS继续增加，使漏栅间的电位差加 大时，靠近漏断电位差最大，耗尽层也最 宽。当耗尽层在 A点相遇时，称为预夹断， 此时，A 点耗尽层两边的电位差用夹断电 压VP来描述。具体变化如图所示。 而: VP= VGD = VGS- VDS 综上分析，可得下述结论： (1)JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置 的，因此，其iG≈0,输入电阻很高。 (2)JFET是电压控制电流器件，iD受VGS控制。 (3)预夹断前，iD与VDS呈近似线性关系；预 夹断后，iD趋于饱和。 P沟道JFET工作时，其电源极性与N沟道 JFET的电源极性相反。 4.1.2 JEFT的特性曲线及参数 1.输出特性 (见例题) iD=f(VDS) | vGS=常数 如图中，管子的工作情况可分为三个区域： 可变电阻区、饱和区(恒流区)、击穿区。此外， 当VGS VP, iD=0时称为截止区(图中未画出)。 2.转移特性 iD= f(VGS)|vDS=常数 实验表明，在饱和区内,iD随VGS的增加 (负数减少)近似按平方律上升，因而有： (当VP? VGS ?0时) 3.主要参数(见例题) (1)夹断电压VP：令VDS为某一固定值，使iD 等于一个微小的电流时，栅源之间所加的电 压。 (2)饱和漏电流 ?DSS：在 VGS=0的情况下， 当VDS |VP|时的漏极电流。 (3)最大漏源电压V(BR)DS: 是指发生雪崩击 穿、iD 开始急剧上升时的VDS值。 (4)最大栅源电压V(BR)GS: 是指输入PN结反 向电流开始急剧增加时的VGS值。 (5)直流输入电阻RGS:在漏源之间短路的条 件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电 阻。 (6)最大耗散功率PDM: PDM= VDS i