场效应管放大路18539.ppt

4 场效应管放大电路 多级放大电路 引言 4.1 结型场效应管 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 教学基本要求 掌握结型场效应管的工作原理和特性曲线，了解其主要参数 了解FET放大电路的静态偏置特点及求解思路 掌握用小信号模型分析法分析动态性能 了解双极型三极管和场效应管放大电路的特点 3. 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： 4.4 结型场效应管 CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： 3. 三种基本放大电路的性能比较 4.4 结型场效应管 BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 解： 画中频小信号等效电路 则电压增益为 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 根据电路有 由于 则 {end} 4 场效应管放大电路 * * 4.1 结型场效应管 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较 *4.2 砷化镓金属-半导体场效应管 类比：与BJT放大电路 自学（归纳、比较） MOS管，简单介绍 掌握场效应管的工作原理 注意与BJT的异同点 √ √ ? 输入级—Ri? 中间放大级—AV ? 输出级—Ro ? 共集、共射 共射、共基 共集 第4章 场效应管 第6.2节 差分放大电路 2个信号相减 第5章 功率放大电路 直接耦合零漂 Ri? RL特别小 第6.1节 电流源 第6章 集成运算放大器 性能改善 第7章 反馈技术、方法 第8、9、10章 运算放大器应用 各种功能电路 已知图示放大电路中三极管的 ? =60，rbe=3k?。 (1) 若电容C3断开，求Ri (2) 接上C3后，求Ri 。 分析举例 4 场效应管放大电路 1、问题的引出 2、分类 进一步提高Ri ， 但BJT的Je正偏，rbe较小 FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 1. 结构 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 N型导电沟道 漏极D(d) 源极S(s) 沟道电阻 —— 长度、宽度、掺杂 P+ P+ 反偏的PN结 —— 反偏电压控制耗尽层 结构特点: 空间电荷区（耗尽层） 栅极G(g) 4.1.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 ② VDS对沟道的影响 ? VGS=0 ? VGS＜0 (反偏) ? VGS= VP ?耗尽层加厚 |VGS | 增加 ?沟道变窄 ?沟道电阻增大 全夹断（夹断电压） 4.1.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 ② VDS对沟道的影响 ? VDS? ? ID ? GD间PN结的反向电压增加,使靠近 漏极处的耗尽层加宽,呈楔形分布。 ? VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 ? VDS ? ?夹断区延长,但ID基本不变 2. 工作原理 ③ VGS和VDS同时作用时 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系； 预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此 iG?0，输入电阻很高。 4.1.1 JFET的结构和工作原理 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 2. 转移特性 VP 1. 输出特性 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 3. 主要参数 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 ③ 直流输入电阻RGS： 结型FET，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑤ 最大漏极功耗PDM ④ 最大漏源电