西南科技大学电磁场与电磁波期末试卷.docVIP

西南科技大学2009—2010学年 电磁场与电磁波期末试卷（A） 一、选择题(6小题,共18分) (3分)[1]一半径为a的圆柱形铁棒在均匀外磁场中磁化后，棒内的磁化强度为，则铁棒表面的磁化电流密度为 A、 B、 C、 (3分)[2]恒定电流场中，不同导电媒质交界面上自由电荷面密度的条件是 A、 B、 C、? (3分)[3]已知电磁波的电场强度为，则该电磁波为 A、左旋圆极化波 B、右旋圆极化波 C、线椭圆极化波 (3分)[4]比较位移电流与传导电流，下列陈述中，不正确的是： A.? 位移电流与传导电流一样，也是电荷的定向运动 B. ?位移电流与传导电流一样，也能产生涡旋磁场 C.? 位移电流与传导电不同，它不产生焦耳热损耗 (3分)[5]xOz平面为两种媒质的分界面，已知分界面处， ，则分界面上有电流线密度为: A、 B、 C、 (3分)[6]若介质1为完纯介质，其介电常数，磁导率，电导率；介质2为空气。平面电磁波由介质1向分界平面上斜入射，入射波电场强度与入射面平行，若入射角，则介质2 ( 空气) 中折射波的折射角为??????????? A、 B、 C、 二、填空题(5小题,共20分) (4分)[1]静电比拟是指（ ）, 静电场和恒定电流场进行静电比拟时，其对应物理量间的比似关系是（ ）。 (4分)[2] 麦克斯韦方程组的微分形式为（ ）。 (4分)[3]镜像法的理论根据是（ ）。镜像法的基本思想是用集中的镜像电荷代替（ ） 的分布。 (4分)[4]恒定磁场中不同媒质分界面处， H与B满足的边界条件是：（ ）,?? （ ）?或（ ）,（ ），媒质在（或）条件下，在分界面一侧B线垂直于分界面。 (4分)[5]对于某一标量和某一矢量： （）＝( )；（）＝( ) 三、判断题(7小题,共22分) (3分)[1]麦克斯韦方程组中任何一个方程, 都可以由其余三个方程推导出来 (3分)[2]图示一长直圆柱形电容器，内、外圆柱导体间充满介电常数为的电介质，当内外导体间充电到后，拆去电压源，然后将介质换成的介质，则两导体? 间的电压将增加。 (3分)[3]应用分离变量法求解电、磁场问题时，要求整个场域内媒质必须是均匀、线性的。 (3分)[4]驻波不能传播电磁能量。 (3分)[5]一个点电荷Q 放在球形高斯面中心处。如果此电荷被移开原来的球心，但仍在球内，则通过这个球面的电通量将会改变。 (3分)[6]已知铜的电导率, 铁的电导率，由于, 所以在相同的频率下，铜的趋肤效应较铁的明显。 (4分)[7]半径为a的导体球，带电荷的总量为Q，球心位于介电常数分别为与的不同介质的分界面上，如图所示，则导体球外与介质中距球心为处的电场强度均相等，且。 四、计算解答题(4小题,共40分) (10分)[1]频率为1GHz，电场幅度为1V/m的均匀平面波，由空气垂直入射到导体铜的平面上，试求每平方米的铜表面所吸收的平均功率。 (10分)[2]一个半径为a的均匀带电圆柱体（无限长）的电荷密度是ρ，求圆柱体内,外的电场强度。 (10分)[3]根据以下电场表示式说明它们所表征的波的极化形式。 (10分)[4]求如题图所示得二维区域内得电位分布。 ====================答案==================== 答案部分 一、选择题(6小题,共18.0分) (3分)[1]B (3分)[2]A (3分)[3]A (3分)[4]A (3分)[5]C (3分)[6]B 二、填空题(5小题,共20分) (4分)[1]在一定条件下，可以把一种场的计算和实验所得结果推广和应用于另一种场; (4分)[2] (4分)[3]场的唯一性定理；未知电荷 (4分)[4]；；； (4分)[5]0，0 三、判断题(7小题,共22分) (3分)[1]×????????? (3分)[2]× (3分)[3]× (3分)[4]√ (3分)[5]× (3分)[6]√ (41分)[7]√ 四、计算解答题(4小题,共40分) (10分)[1]解：用求每平方米的铜表面所吸收的平均功率。 因为，所以 因为时，铜对电场的反射系数，所以铜表面的合成磁场强度近似为，于是有 又知表面电阻为 因此 (10分)[2]解：因为电荷分布是柱对称的，因而选取圆柱坐标系求解。在半径为r的柱面上，电场强度大小相等，方向沿半径方向。计算柱内电场时，取半径为r，高度为1的圆柱面为高斯面。在此柱面上，使用高斯定理，有 计