材料物理性能5.pptVIP

1.介质的击穿: 当电场强度超过某一临界值时，介质由介电状态变为导电状态。这种现象称介电强度的破坏，或叫介质的击穿。 2.击穿电场强度: 介质的击穿时，相应的临界电场强度称为介电强度，或称为击穿电场强度。 （介电强度：一种介电材料在不发生击穿或者放电的情况下承受的最大电场。） Emax=(V/d)max 通常，凝聚态绝缘体的击穿电场范围约为(105-5×106)V.cm-1。 介电强度依赖于材料的厚度， 厚度减小，介电强度增加。由测试区域中出现的临界裂纹的几率决定。 还与环境温度和气氛、电极形状、材料表面状态、电场频率和波形、材料成分和孔隙、晶体各向异性，非晶态结构等因素有关。 例：设计一方案，满足3KV下存储10-4C的要求 ，设电介质材料厚0.02mm的BaTiO3，求电介质的厚度及面积。（注:BaTiO3的介电强度为120KV/cm）。 1.介质的不均匀性 无机材料常常为不均匀介质，有晶相、玻璃相和气孔存在，这使无机材料的击穿性质与均匀材料不同。 不均匀介质最简单的情况是双层介质。设双层介质具有各不相同的电性质，ε1，σ1，d1和 ε2，σ2，d2 分别代表第一层、第二层的介电常数、电导率、厚度。 若在此系统上加直流电压U，则各层内的电场强度E1，E2，为： 上式表明：电导率小的介质承受场强高，电导率大的介质承受场强低。在交流电压下也有类似的关系。 如果σ1和σ2 相差甚大，则必然其中一层的电场强度将大于平均场强E，这一层可能首先达到击穿强度而被击穿。一层击穿以后，增加了另一层的电压，且电场因此大大畸变，结果另一层也随之击穿。由此可见，材料的不均匀性可能引起击穿场强的降低。 陶瓷中的晶相和玻璃相的分布可看成多层介质的申联和并联，上述的分析方法同样适用。 2. 材料中气泡的影响： 材料中含有气泡时，气泡的ε及σ很小，因此加上电压后气泡上的电场较高。而气泡本身的抗电强度比固体介质要低得多(一般空气的Eb≈33kv/cm，而陶瓷的Eb≈80kv/cm )，所以首先气泡击穿，引起气体放电(电离)，产生大量的热，容易引起整个介质击穿。由于在产生热量的同时，形成相当高的内应力，材料也易丧失机械强度而被破坏，这种击穿称为电—机械—热击穿。 3. 材料表面状态及边缘电场： （2）边缘电场： 电极边缘常常发生电场畸变，使边缘局部电场强度升高，导致击穿电压的下降。 影响因素： a: 电极周围媒质 b: 电场的分布(电极的形状、相互位置) c: 材料的介电系数、电导率 1.压电性概念 1）正压电效应 ：晶体受到机械作用力时，在一定方向的表面上会出现数量相等、符号相反的束缚电荷；作用力反向时，表面荷电性质亦反号，而且在一定范围内电荷密度与作用力成正比。这种由机械能转化为电能的过程，为正压电效应。 逆压电效应 ：当晶体在外加电场作用下，晶体的某些 方向上产生形变，其形变与电场强度成正比。称为逆压电效应。 正压电效应与逆压电效应统称为压电效应。具有压电效应的物体称为压电体。 a: 在X方向上的二个晶体面上接电极，测定电荷密度。 X方向上受正应力T1(N/m2)时，测得X方向电极面上产生的束缚电荷Q，其表面电荷密度σ （C/m2）与作用力成正比。 ?1=d11T1 其中T1为沿法线方向正应力，d11为压电应变常量，其下标第一个1代表电学量，第二个1代表力学量。 在Y方向上受正应力T2时，X方向上测电荷密度： ? 1=d12T2 在Z方向上受正应力T3时，测电流为0 ? 1=d13T3=0 因为T3不等于0，则d13=0。 切应力：T4（yz或zy应力平面的切应力）， T5（xz或zx平面）， T6（xy或yx平面） 在切应力作用下，