半导体器件模拟.docVIP

PAGE 1 CONTENTS PART 1: NMOS ___________________________________________________ 1 Getting Started 1 2 Creating an NMOS Device Structure Using ATHENA 3 3 NMOS Device Simulation Using ATLAS 25 4 Creating NMOS Structure Using DEVEDIT 35 PART 2: OTHER DEVICES ___________________________________________________ 5 Thin Film Resistor: Creating an Thin Film Resistor Using ATHENA 45 6 Zener Diode 56 7 MS Junction: Creating a M-S Junctiong Using ATLAS 59 8 MESFET 65 9 BJT 89 10 Solar Cell 106 11 TFT 119 Appendix 129 Chapter 1: 开始 1.1 在DeckBuild下运行ATHENA 进入红帽子系统桌面后,在桌面空白的地方进行如下操作: 鼠标右键—新建终端—输入“deckbuild -an”命令—回车 过几秒钟时间,DECKBUILD窗口就出现了.在窗口左下方将看到“ATHENA”字样.这表明现在已进入ATHENA模块. 图 1.1 DECKBUILD窗口 为了熟悉DECKBILD下ATHENA的运行机制,我们可以下载和运行一些ATHENA标准例子. 1.2 下载并运行ATHENA标准例子 在AHENA窗口进行如下操作:右键点击Main Control—选Examples...—双击所感兴趣的目录和子目录—load example-run Chapter 2: 用ATHENA创建一个NMOS器件结构 2.1 过程总揽 在本章中,用户将学习到创建一个典型MOSFET结构的基本操作.这些操作包括: ◇ 创建一个好的模拟网格 ◇ 保形沉积( conformal deposition) ◇ 几何刻蚀 ◇ 氧化,扩散,退火以及离子注入 ◇ 结构操作 ◇ 保存与下载结构 所有这些操作,都单独在ATHENA工艺模拟器中进行. 2.2 创建一个初始结构 2.2.1 定义初始矩形网格 a.清理当前文本窗口:右键点击File—选Empty Document. b.把ATHENA作为模拟器——在文本窗口输入如下语句: go athena 接下来,我们将定义初始的矩形网格.需要注意的是,正确的定义网格在工艺模拟中至关重要.格点数直接影响到器件的精度和时间.一个精细的网格应该出现在关键区域,如离子注入的地方,pn结形成的区域,或者光模拟中的光敏部分. c.打开网格定义窗口:右键点击Commands—选Mesh Define... 2.2.2 创建一个0.6um*0.8um模拟区域及一个非均匀网格 在打开的Mesh Define界面,进行如下操作: a.Direction: X(默认项). b.单击Comment输入“Non-Uniform Grid (0.6um*0.8um)”. c.单击Location,输入0;单击Spacing,输入0.1. d.单击Insert. e.采用同样的方法设置x=0.2时spac=0.01;x=0.6时spac=0.01. f.创建Y方向上的网格:在Direction一栏单击Y,设置y=0.00时spac=0.008;y=0.2时 spac=0.01;y=0.5时spac=0.05;y=0.8时spac=0.15. 我们将注意到网格最密的地方是在表面(y=0um至y=0.2um的地方).因为在后面这个区域将形成NMOS的表面有源区. g.预览矩形网格:单击View(注意总共产生了1786个格点和3404个三角形.) h.写入文本窗口:单击WRITE. 2.3 定义衬底 a.打开ATHENA Mesh Initialize菜单:右键点击Commands—Mesh Initialize. b.在弹出的窗口作出如下选择: Material: Silicon Orientatio