氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率.PDF

第26卷第4期 红 外 与毫 米 波 学 报 Vo1．26．No．4 2007年 8月 J．InfraredMillim．Waves August，2007 文章编号：1001—9014(2007)04—0251—05 氮化物耦合量子阱中的二次谐波产生极化率 ： 压 电与 自发极化效应 张 立 (广州番禺职业技术学院 电子与机械系，广州 番禺 511483) 摘要：理论考察了存在强内建电场的纤锌矿GaN／InGa一N耦合量子阱体系的二次谐波产生(SHG)特性，结果发 现共振SHG系数达到了10。nv的量级，SHG系数对耦合量子阱的结构与掺杂组份呈现非单调的依赖关系．结 果还表明，通过选择小尺寸垒宽与大尺寸阱宽的耦合量子阱，并适当降低掺杂组份，可在氮化物耦合量子阱中获得 较强的SHG极化率． 关 键 词：密度矩阵方法；氮化物耦合量子阱；内建电场；二次谐振波产生 中图分类号：0431．2 文献标识码：A SECoND．HARMONICGENERATIONSUSCEPTIBILITIESoF A NITRIDECoUPLING QUANTUM WELL：EFFECTSoF Pm ZoELECTRICITY AND SPoNTANEoUS PoLARIZATIoN ZHANG Li (DepartmentofMechanicsandElectronic，PanyuPolytechnic，Panyu 511483，China) Abstract：rIllesecond．harmonicgeneration(SHG)susceptibilityofawurtziteGaN／InGal一N couplingquantumwell ． (cow)withstrongbuilt．inelectricfieldwastheoreticallyinvestigated．ThecalculatedresultsrevealthathteresonantSHG coemcientsreachhteorderofmagnitudeof10。 n V and theSHG coemcientsarenotmonotonicfunctionsofhtewell widht，barrierwidthandhtedopedconcentrationoftheCQW systems．OurresultsalsoshowthatastrongSHGcoefficient canbeobtainedinhtenitrideCQW bychoosingoptimizedstructuralparametersanddopedfraction． Keywords：densi~．matrixm~hod；nitridecouplingquantumwell；built—inelectricfield；second—harmonicgeneration 高度重视_3侧 ．基于标准的非线性光学理论，为了获 引言 得强的偶次阶非线性光学效应，人们需要构建一个 过去几年里，氮化镓 (GaN)基半导体异质结体 非对称的量子受限势体系 ．在 以往广泛研究的 系及相关光电子器件吸引了人们持续研究的兴趣， GaAs基立方晶体量子阱中，获得非对称受限势的方 这种探索努力背后的驱动力主要来源于高效率的短 案通常有两种：一是采用先进的晶体生长技术，如 波长光源(如