集成电路中的元器件及其寄生效应教学课件PPT.pptVIP

2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应1. 寄生可控硅结构 VH IH I V 0 VDD GND Vo Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW RS RS RW IRS IRW VDD GND VO N- P- VO 必要条件： 1.两个发射结均正偏 2.βnpn*βpnp 1 3.IPowerIH 寄生可控硅一旦被触发，电流巨增，将烧毁芯片。 2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应2. 消除闩锁效应措施—版图设计 RS RW IRS IRW VDD GND VO N- P- VO （1）减小RS和RW ：均匀且充分设计阱和衬底的电源和地的欧姆接触，并用金属线连接，必要时采用环结构。 VDD GND Vo Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW RS 2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应2. 消除闩锁效应措施—版图设计 RS RW IRS IRW VDD GND VO N- P- VO （2）减小βnpn和βpnp ：加大MOS管源漏区距阱边界的距离，必要时采用伪收集极结构。 VDD GND Vo Vi RS Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW n+ p+ n+ N-阱 2.7.4 寄生可控硅—闩锁效应2. 消除闩锁效应措施—工艺、测试、应用 （1）增加阱的结深 （2）采用外延衬底 （3）采用外延衬底时，同时可采用埋层方法，增加阱的结深，型层减速场。 （4）电源退耦，稳定电源 （5）输入信号不能过高 （6）负载电容不易过大 （7）电源限流 VDD GND Vo Vi RS Vi P-Sub N-阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW n+ p+ n+ N-阱 2.7.5 习题 1.说明CMOS集成电路中的闩锁效应和抗闩锁措施。 2.说明消除寄生MOS管影响的措施。 §2-8 电容器 思考题 1.形成电容的方式有哪些？各自的特点是什么？ 2.各种结构电容的电容值如何计算？ 3.设计电容时应该考虑哪些因素？ 2.8.1 PN结电容 N–-epi P+ P+ P N+ B A P-Sub N+ Cj Cjs B A GND Rb Rcs P+ P+ P+ N+ B A P-Sub N+ Cj1 Cjs B A GND Rb Rcs Cj2 Re 应考虑： 1.单位面积电容容量 2.电极的串联电阻 3.工作电压及电压极性 2.8.2 MOS电容 N–-epi P+ P+ N+ P-Sub B A B A CMOS CJS DSC B A CMOS CD P-Sub B A n+ 反型层或埋n+ NMOS,PMOS CMOS= ?sio2 ?o tox A §2-9 电阻器 思考题 1.形成电阻的方式有哪些？各自的特点是什么？ 2.各种结构电阻的电阻值如何计算？ 3.设计电阻时应该考虑哪些因素？ 2.9.1 基区硼扩散电阻 L L L L1 L2 L5 L7 L4 L3 L6 W W W W N–-epi P+ P+ P N+ P-Sub N+ B A VDD A B VDD CJC CJS R = R□ Weff i=1 ∑Li n [ + 2k1 + ( n - 1 ) k2 ] Weff = W +2mXj 2.9.2基区沟道电阻 N+ N–-epi P+ P+ P N+ P-Sub N+ B A VDD P+ P+ P N+ N+ P-Sub N–-epi 阻值大 面积小 精度低 2.9.3 外延层电阻 N–-epi P+ P-Sub N–-epi P+ P+ P N+ B A N+ N+ B A N+ 2.9.4 离子注入电阻 N–-epi P+ P+ P N+ P-Sub N+ B A VDD P 一般用来制作精度高的大阻值电阻 2.9.5 发射区磷扩散电阻 一般用来制作磷桥或小电阻 N+ N+ N–-epi P+ P-Sub N–-epi P+ P+ P B A B A N+ 2.9.6 薄膜电阻 一般用来制作精确电阻（激光调阻） 2.9.7 MOS电路中常用的其它电阻 常规多晶电阻，高阻多晶电阻， N+ （或P+ ）有源区电阻，N阱（或P阱）电阻， 导通MOS管电阻 栅极应接相应电位， 使MOS管导通 2.3.3 横向PNP管常用图形 1.单个横向PNP管 结构简单，面积小 2.3.3 横向PNP管常用图形 2.多集电极横向PNP管 常用在比例电流源电路中 C1 C2 C3 C1 C2 B B E E 2.3.3 横向PNP管常用图形 3.可控增益横向PNP管 多集电极结构的应用 B E C