电力电子技术 第章 电力电子器件.pptVIP

引言 ■模拟和数字电子电路的基础 ——晶体管和集成电路等电子器件 电力电子电路的基础 ——电力电子器件 ■本章主要内容： ◆对电力电子器件的概念、特点和分类等问题作了简要概述 。 ◆分别介绍各种常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。 2.1 电力电子器件概述 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1.4 本章内容和学习要点 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 ■电力电子器件的概念 ◆电力电子器件（Power Electronic Device）是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 ?主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 ?广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类，目前往往专指电力半导体器件。 2.1.3 电力电子器件的分类 ■按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件 ?主要是指晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。 ?器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。 ◆全控型器件 ?目前最常用的是 IGBT和Power MOSFET。 ?通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断。 ◆不可控器件 ?电力二极管（Power Diode） ?不能用控制信号来控制其通断。 ■电力MOSFET的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √指漏极电流ID和栅源间电压 UGS的关系，反映了输入电压和输 出电流的关系 。 √ID较大时，ID与UGS的关系近似 线性，曲线的斜率被定义为 MOSFET的跨导Gfs，即 图2-21 电力MOSFET的 转移特性和输出特性 a) 转移特性 (2-11) √是电压控制型器件，其输入阻 抗极高，输入电流非常小。 2.3.2 晶闸管的基本特性 ■静态特性 ◆正常工作时的特性 ?当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 。 ?当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 。 ?晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通 。 ?若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 ◆晶闸管的伏安特性 ?正向特性 √当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 √如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通 。 √随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 √如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。 图2-9 晶闸管的伏安特性 IG2 IG1 IG 正向转折电压Ubo 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM + ?反向特性 √其伏安特性类似二极管的反向特性。 √晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。 √当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增大，导致晶闸管发热损坏。 图2-9 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 正向转折电压Ubo 正向 导通 雪崩 击穿 O + U A - U A - I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM + ■动态特性 ◆开通过程 ?由于晶闸管内部的正反馈 过程需要时间，再加上