用表面磁光克尔效应实验系统测量磁性薄膜的磁滞回线.docVIP

用表面磁光克尔效应实验系统测量铁磁性薄膜的磁滞回线 及计算克尔旋转角 摘 　 要:用表面磁光克尔效应测量铁磁材料的磁滞回线,并求得在饱和状态下的克尔旋转角.对于很多磁性薄膜,易磁轴方向为纵向,通常纵向克尔效应较明显.用自制装置可研究磁性材料表面的磁性质,现此实验已在近代物理实验中应用. 关键词:克尔效应;磁滞回线; 克尔旋转角 1985年,科学家对表面磁光克尔效应的研究能达到亚原子单层的磁性探测灵敏度和易于与超高真空系统结合的特点,使得它在近些年已经发展成为一种重要常规的研究薄膜磁学性质的技术.现今它被广泛应用于研究表面超薄膜的磁有序、 磁性相变、 磁各向异型,以及层间耦合等多种磁学现象,同时表面磁光克尔效应在商业上还被用于高密度的磁光存储技术研究和测量.和其他磁性测量手段相比,表面磁光克尔效应测量磁性材料磁性具有很多优点,如测量灵敏度高、 非接触式测量、 测量同一样品厚度不等的楔形磁性薄膜以及可以将待测样品放在真空中原位测量等.笔者应用复旦天欣科教仪器公司生产的FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应实验系统用于研究材料表面的磁性质,取得较好的实验效果. SMOKE实验原理 当线偏振光入射到不透明样品表面时,如果样品是各向异性的,反射光将变成椭圆偏振光且偏振方向会发生偏转.而如果此时样品为铁磁状 态,还会导致反射光偏振面相对于入射光的偏振面额外再转过一小角度,这个小角度称为克尔旋转角θ,即椭圆长轴和参考轴间的夹角,如图1所示.同时,一般而言,由于样品对p偏振光和s偏振光的吸收率不同,即使样品处于非磁状态,反射光的椭偏率也要发生变化,而铁磁性会导致椭偏率有一附加的变化,这个变化称为克尔椭偏率ε,即椭圆长短轴之比. 按照磁场相对入射面的配置状态不同,表面磁光克尔效应可以分为3种: a.极向克尔效应,其磁化方向垂直于样品表面并且平行于入射面; b.纵向克尔效应,其磁化方向在样品膜面内,并且平行于入射面; c.横向克尔效应,其磁化方向在样品膜面内,并且垂直于入射面. 对于磁性薄膜,通常纵向克尔效应较明显.待测物的极向、纵向、横向克尔旋转角的强弱由其磁易向轴的方向决定.以下以极向克尔效应为例详细讨论SMOKE系统,原则上完全适用于纵向克尔效应和横向克尔效应.激光器发射的激光束通过起偏棱镜后变为线偏振光,然后从样品表面反射，经过检偏棱镜进入探测器.检偏棱镜的偏振方向要与起偏棱镜设置成偏离消光位置很小的角度δ(图2),这主要是为了区分正负克尔旋转角.若检偏棱镜方向设置在消光位置,无论反射光偏振面是顺时针还是逆时针旋转,反映在光强的变化上都是强度增大.这样就无法区分偏振面的正负旋转方向,也就无法判断样品的磁化方向.当2个偏振方向之间有小角度δ时,通过检偏棱镜的光线有本底光强I.反射光偏振面旋方向和δ同向时光强增大,反向时光强减小, 这样样品的磁化方向可以通过光强的变化来区分. 样品放置在磁场中,当外加磁场改变样品磁化强度时,反射光的偏振状态发生改变.通过检偏棱镜的光强也发生变化.在一阶近似下光强的 图1表面磁光克尔效应原理图 图2　偏振器件配置方位 变化和被测材料磁感应强度呈线性关系,探测器探测到光强的变化就可以推测出样品的磁化状态和磁性参量.在图1的光路中,假设取入射光为p偏振光,其电场矢量E平行于入射面,当光线从磁化了的样品表面反射时,由于克尔效应反射光中含有很小的垂直于E的电场分量E,如图2所示,通常EE.在一阶近似下有: =θ+iε. (1) 通过检偏棱镜的光强为: I=|Epsinδ+Escosδ| (2) 将(1)式代入(2)式得到: I=|Ep||sinδ+(θK+iεK)cosδ| (3) 通常δ较小,可取sinδ≈δ,cosδ≈1,得到: I=|Ep||δ+(θK+iεK)| (4) 一般情况下,δ虽然很小,但δθ,而θ和ε在同一数量级上,略去二阶项后,考虑到探测器测到的是(4)式实数部分,(4)式变为 I=|Ep|(δ+2δθ) . (5) 无外加磁场下, I=|Ep|δ, (6) 所以有: I=I[1+2θ/δ]. (7) 由(7)式得在样品达磁饱和状态下θ为: θ= (8) 实际测量时最好测量磁滞回线中正向饱和时的克尔旋转角θ和反向饱和时的克尔旋转角θ,则 θ== (9) (9)式中,I(+B)和I(-B)分别是正负磁饱和状态下的光强.从式(9)可以看出,光强的变化ΔI只与θ有关,而与ε无关.说明在图1光路 中探测到的克