锂离子电池保护电路基本知识.doc

锂离子电池保护电路基本知识问答 什么是锂离子电池保护ic？ 答：在锂离子电池使用过程中，过充电、过放电对锂电池的电性能都会造成一定的影响，为避免使用中出现这种现象，专门设计了一套电路，并用微电子技术把它小型化，成为一个芯片，该芯片俗称锂电池保护ic。 保护ic外形是什么样的？ 答：保护ic外形常用的有两种： 一种称为SOT-23-5封装。 另一种较薄,称TSSOP-8封装。 Ic内部有些什么电路，能大概介绍一下吗？ 答：ic内部的简化的逻辑图如下： 其各个端口的功能简述如下： VDD： 1。IC芯片电源输入端。 2．锂电池电压采样点。 VSS： 1。IC芯片测量电路基准参考点。 2．锂电池负极和IC连接点。 DO： IC对放电MOS管的输出控制端 CO： IC对充电MOS管的输出控制端 VM： IC芯片对锂电池工作电流的采样输入端 从简化的逻辑图可见：电池过充电、过放电，放电时电流过大（过电流），外围电路短路，该ic都会检测出来，并驱动相应的电子器件动作。 Ic有哪些主要技术指标？ 答：1）过充电检测电压： VCU 4.275±25mv （4.25 4.275 4.30） 2）过充电恢复电压： VCL 4.175±30mv （4.145 4.175 4.205） 3) 过放电检测电压： VDL 2.3±80mv (2.22 2.3 2.38 ） 4) 过放电恢复电压： VDU 2.4±0.1mv (2.3 2.4 2.5 ) 5) 过电流检测电压： VIOV1 0.1±30mv (0.07V 0.1 0.13V) VIOV2 0.5±0.1mv (0.4 0.5 0.6 ) 6) 短路检测电压： VSHORT -1.3V (-1.7 -1.3 -0.6 ) 7) 过充电检测延时： tcu 1s （0.5 1 2 ） 8) 过放电检测延时 ：tdl 125ms （62.5 125 250 ） 9) 过流延时： TioV1 8ms （4 8 16 ） TioV2 2ms （1 2 4 ） 10）短路延时： Tshort 10us （10 50us） 11）正常功耗： 10PE 3uA （1 3 6uA） 12）静电功耗： 1PDN 0.1 uA 锂电池保护电路的PCB板上，除了保护ic外，还需要哪些元件，才能组成一个完整的保护PCB？ 答：还需要作为开关功能用的两只场效应管、若干电阻、电容。 6．场效应管是什么样子？ 答：场效应管也称MOS FET，在锂电池保护PCB上，都是成对使用，因此制造商把两只独立的MOS FET封装在一起，其外形通常也有两种： 一种是SOP-8封装。见下图： 其内部接法如下图： 另一种封装较薄,称TSSOP-8。 其内部接法如下： MOS FET 在电路中起什么作用？它是怎样工作的？ 答：MOS FET通常有三只脚，分别称为漏极D、源极S、栅极G。它在电子线路中的功能可用下图简单说明。 简言之，MOS FET 在电子电路中可把它看作是一只特殊的开关。当栅极G得到了一个高电平，右图的开关就闭合；电流在D.S之间通过。当栅极G得到的不是高电平，而是低电平，则D.S 之间开关看作开路，电流不能通过。 8．常听人说MOS FET的内阻是多少、多少，到底什么是MOS FET的内阻？ 答：如上图所示，D.S之间的开关闭合时总存在一定的电阻，这个电阻相当于MOS FET的内阻，一般这个电阻很小，都在10~30mΩ之间。可见，电流通过MOS FET，由于存在内阻，根据欧姆定律，必然存在电压降，从而损耗掉一部份电能，可见MOS FET 的内阻应越小越好。 除内阻外，MOS管还有哪些主要技术指标？ 答：MOS管有以下主要技术指标： 1）漏源极耐压值： VDSS 20V 2）漏栅极耐压值： VDGR 20V 3）栅源极耐压值： VGSS 12V 4）漏极最大电流ID DC 6A Polse