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- 2019-05-01 发布于浙江
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2、 单结晶体管的特性和参数 IE uE UV UP IV UV、IV --谷点电压、电流 (维持单结管导通的最小 电压、电流。) 负阻区:UEUP后, 大量空穴注入基区, 致使IE增加、UE反 而下降,出现负阻。 UP-- 峰点电压 (单结管由截止变导通 所需发射极电压。) 单结管符号 E B2 B1 单结管重 要特点 UEUV时单结管截止; UEUP时单结管导通。 小结 * 第五章 晶闸管(Thyristor) 别名:可控硅(SCR) (Silicon Controlled Rectifier) 它是一种大功率半导体器件,出现于70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电 领域 。 体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容 量大(正向平均电流达千安、正向耐压 达数千伏)。 特点 应用领域: 逆变 整流 (交流 直流) 斩波 (直流 交流) 变频 (交流 交流) (直流 直流) 此外还可作无触点开关等 一、 工作原理 1、 结构 A(阳极) P1 P2 N1 三 个 PN 结 N2 四 层 半 导 体 K(阴极) G(控制极) 符号 A K G G K P1 P2 N1
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