第1章 电电子器件256662.pptVIP

1.5.1 MOS控制晶闸管MCT MCT（MOS Controlled Thyristor）——MOSFET与晶闸管的复合 MCT结合了二者的优点： MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程 晶闸管的高电压大电流、低导通压降 一个MCT器件由数以万计的MCT元组成，每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET MCT曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。因此，20世纪80年代以来一度成为研究的热点。但经过十多年的努力，其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用 1.5.2 静电感应晶体管SIT SIT（Static Induction Transistor）——1970年，结型场效应晶体管 小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件 多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用 缺点： 栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便 通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用 1.5.3 静电感应晶闸管SITH SITH（Static