第1章电和电路元件15700.ppt

1.1.2 电路元件和电路模型 1.1.3 电压、电流及其参考方向 1.4.2 二极管的特性和主要参数 1.结构 表示符号 面接触型 点接触型 引线 触丝 外壳 N型锗片 N型硅 阳极引线 PN结 阴极引线 金锑合金 底座 铝合金小球 第1章 上页 下页 阴极 阳极 D 返回 第1章 上页 下页 返回 几种二极管外观图 小功率二极管 大功率二极管 发光 二极管 2.二极管的伏安特性 -40 -20 O U/V I/mA 60 40 20 -50 -25 0.4 0.8 正向 反向 击穿电压 死区电压 U(BR) 硅管的伏安特性 I/μA 第1章 上页 下页 返回 -20 -40 -25 0.4 0.2 -50 10 O 15 5 I/mA U/V 锗管的伏安特性 I/μA 死区电压 死区电压：硅管约为：0.5V,锗管约为：0.1V。 导通时的正向压降：硅管约为:0.6V～0.8V,锗管约为:0.2V～0.3V。 常温下，反向饱和电流很小.当PN结温度升高时，反向电流明显增加。 注 意: 3. 二极管的主要参数 -40 -20 O I/mA 60 40 20 -50 -25 0.4 0.8 正向 反向 击穿电压 死区电压 U(BR) I/μA U/V 第1章 上页 下页 最大整流电流IFM 最高反向电压URM 最高工作频率fM 最大反向电流IRM 返回 第1章 上页