第1讲-半体器件-2013.pptxVIP

第1讲 半导体器件;本讲内容;PN结;PN结的内建势垒电压;GaAs PN结、Ge PN结;本讲内容;PN结反向偏置（1）;PN结反向偏置（2）;PN结正向偏置;PN结的理想IV特性;PN结的理想IV特性曲线;PN结的理想IV特性曲线（对数）;Pn结反向击穿;击穿电压;PN结的温度效应;Pn结正向到反向切换;二极管电路分析（图解法）;二极管电路：交流等效分析;等效电路：直流、交流;本讲内容;其它类型二极管;太阳能电池;光电二极管;发光二极管;肖特基二极管;金属-半导体接触;雪崩二极管;齐纳二极管;PIN二极管;本讲内容;场效应晶体管（FET）;MOSFET结构;MOSFET工作原理;IDS与阈值电压VTH;本讲内容;MOSFET导通：线性vs饱和;NMOS线性区、饱和区的条件;NMOS理想I-V特性;耗尽型NMOS;增强型PMOS;耗尽型PMOS;CMOS工艺;沟长调制效应;体效应;亚阈值效应;击穿效应;温度效应;本讲内容;JFET;JFET的I-V特性（VDS较小）;JFET的I-V特性（VGS固定）;增强型MESFET;本讲内容;BJT结构：NPN、PNP;BJT的4种工作状态;本讲内容;NPN晶体管：正向放大区;BJT正向放大的理想IV特性（1）;BJT正向放大的理想IV特性（2）;VCE对I-V特性的修正;直流分析方法（1）;直流分析方法（2）;直流分析方法（3）