功率模块IGBT、IPM、PIM的性能及使用时有关问题的综述.docVIP

功率模块IGBT、IPM、PIM的性能及使用时有关问题的综述.doc

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功率模块IGBT、IPM、PIM的性能及使用时有关问题的综述 1 IGBT主要用途 ???? ???? IGBT是先进的第三代功率模块,工作频率1-20KHZ,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、电源 target=_blank开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史,几乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、MOSFET,双极型达林顿管等,目今功率可高达1MW的低频应用中,单个元件电压可达4.0KV(PT结构)— 6.5KV(NPT结构),电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。 ???? ???? 追其原因是第三代IGBT模块,它是电压型控制,输入阻抗大,驱动功率小,控制电路简单,开关损耗小,通断速度快,工作频率高,元件容量大等优点。实质是个复合功率器件,它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低,开关频率高(可达20KHZ),这两点非常显著的特性,最近西门子公司又推出低饱和压降(2.2V)的NPT—IGBT性能更佳,相继东芝、富士、IR、摩托罗拉亦已在开发研制新品种。 ???? ???? IGBT发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的,特别是发展高压变频器的应用,简化其主电路,减少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,简化调试工作等,都与IGBT有密切的内在联系,所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发,予估近2-3年内,会有突破性的进展。目今已有适用于高压变频器的有电压型HV-IGBT,IGCT,电流型SGCT等。 ???? ???? 2 关断浪涌电压 ???? ???? 在关断瞬时流过IGBT的电流,被切断时而产生的瞬时电压。它是因带电动机感性负载(L)及电路中漏电感(Lp),其总值L*p = L + Lp则Vp* = Vce + Vp而Vp = L*p di/dt在极端情况下将产生Vp* Vces(额定电压)导致器件的损坏发生,为此要采取尽可能减小电感(L),电路中的漏电感(Lp)—由器件制造结构而定,例合理分布,缩短到线长度,适当加宽减厚等。 ???? ???? 3 恢复浪涌电压 ???? ???? 续流二极管是为当IGBT下臂关断,电感性电流就可在上臂续流管提供通路,(这时处正向导通),它将减小di/dt值,防止产生过电压。但又当下臂导通时,续流二极管反向恢复,变为负值而关断,电流将要下降为零值,因Lp存在要产生浪涌电压,阻止电流的下降,尤其当使用硬恢复二极管时,将产生较高的反向恢复di/dt值,可导致很高的瞬时电压出现。 ???? ???? 4 缓冲电路形式 ???? ???? 用以控制关断浪涌电压和恢复浪涌电压,以减少模块的开关损耗及瞬时过电压值而采用的。虽然IGBT具有强大的开关安全工作区,但需控制瞬时电压值,而缓冲电路在每次开关循环中都可通过IGBT放电,故有一定功耗产生,但能确保使用的安全。 ??? 5 减小功率电路的电感 ???? ???? 浪涌电压的能量与1/2LpI 成正比,因此减小Lp是主要的,可选用多层正负交叉,宽偏形迭层母线,包括IGBT间联接,与大电容器的联接等,例大功率变频器的母排等,都采用上述方法,例罗克韦尔A-B公司等变频器就是这样的方法来减小功率电路的电感。 ??????? ???? 6 接地回路形式 ???? ???? 当栅极G驱动或控制信号与主电流共用一个电流路径时,会导致接地回路,这可能出现本应地电位,而实际有几伏的电位值,使本来偏置截止的器件,就可能发生导通,而造成误动作。因此在大功率IGBT应用中,或di/dt很高时,就难发生上述现象的发生,故对不用容量的器件????? ???? 7 IGBT的损耗 ???? ???? 是指IGBT在开通或关断过渡过程期间的功率损耗。当PWM信号频率>5KHZ时开关损耗会非常显著,因此在变频器使用时,必须正确的选择载波频率值的大小,是件重要的问题。具体如何选值,请参见2001年七期“变频器世界”期刊。此文由张选正撰写的,题目“变频器载波频率值正确选择的依据”一文。 ???? 总之载波频率的大小与器件的开关损耗,器件的发热,电流的波形,干扰的大小,电动机噪音和振动等有关的,因此不等功率的电动机和现场条件来正确选择载波频率值大小,亦是属变频器调试中一个主要环节。 ???? ???? 8 关于结温的大小 ???? ???? IGBT模块的芯片最大额定结温是150℃,在任何工作条件下,都不允许超过,否则要发生热击穿而造成损坏,一般要留余地,在最恶劣条件下,结温限定在125℃以下,但芯片内结温监测有难度,所以变频器的IGBT模

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