低掺杂浓度n型GaAs欧姆接触的研究.pdf

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2019-05-25 发布于天津
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低掺杂浓度n型GaAs欧姆接触的研究.pdf

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第４３卷　第１１期　　　　　　　　　　　　　　　激光与红外Ｖｏｌ．４３，Ｎｏ．１１　２０１３年１１月　　　　　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤＮｏｖｅｍｂｅｒ，２０１３　　文章编号：１００１５０７８（２０１３）１１１２５２０４ ·红外材料与器件 · 低掺杂浓度ｎ型ＧａＡｓ欧姆接触的研究宋淑芳，赵建建，谭　振，孙　浩（华北光电技术研究所，北京１０００１５）１７３摘　要：利用传输线方法（ＴＬＭ）重点研究了低掺杂浓度（２×１０ａｔ／ｃｍ）ｎ型ＧａＡｓ接触层的欧姆接触，通过改变ＡｕＧｅ／Ｎｉ的厚度比、合金化的温度和时间等参数，获得了最优化的制备条件：ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ的厚度为５０ｎｍ／２５ｎｍ／１００ｎｍ，退火温度为４００℃，退火时间为１２０ｓ时，欧姆－４－２接触电阻率为最低３５２×１０ｃｍ，这一结果为量子阱结构太赫兹探测器芯片的制备奠定 Ω 了基础。关键词：ｎ型ＧａＡｓ；欧姆接触；低掺杂浓度中图分类号：ＴＮ２１３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１３．１１．１１ＳｔｕｄｙｏｎＯｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｓｏｆｌｏｗｄｏｐｅｄｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｎＧａＡｓＳＯＮＧＳｈｕｆａｎｇ，ＺＨＡＯＪｉａｎｊｉａｎ，ＴＡＮＺｈｅｎ，ＳＵＮＨａｏ（ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５）１７３Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｔｈｅＯｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｏｆｌｏｗｄｏｐｅｄｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｎＧａＡｓ（２×１０ａｔ／ｃｍ）ｉｓｓｔｕｄｉｅｄｂｙｕｓｉｎｇｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｌｉｎｅｍｏｄｅｌ（ＴＬＭ）ＴｈｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｆａｃｔｏｒｓｓｕｃｈａｓｔｈｅＮｉ／ＡｕＧｅｔｈｉｃｋｎｅｓｓｒａｔｉｏ，ａｌｌｏｙｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅａｎｄａｌｌｏｙｔｉｍｅｔｏｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｈｅｏｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｓａｒｅａｎａｌｙｚｅｄＣｏｎｔａｃｔｑｕａｌｉｔｉｅｓｉｎｃｌｕｄｉｎｇｓｐｅ ｃｉｆｉｃｃｏｎｔａｃｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ，ｃｏｎｔａｃｔｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ，ａｎｄｓｕｒｆａｃｅｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｒｅｏｐｔｉｍｉｚｅｄｂｙｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇｔｈｅｓｅｆａｃｔｏｒｓＵｓｉｎｇ－４－２ｔｈｅｏｐｔｉｍｉｚｅｄｐｒｏｃｅｓｓｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ，ａｓｐｅｃｉｆｉｃｃｏｎｔａｃｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｏｆ３５２×１０ｃｍｉｓａｃｈｉｅｖｅｄＴｈｉｓｉｓａｂａｓｉｃｒｅｓｕｌｔ Ω ｆｏｒｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｔｅｒａｈｅｒｔｚｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｎＧａＡｓ，ｏｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔ，ｌｏｗｄｏｐｅｄｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ