中山大学半导体物理2010级其中考试试卷-标准答案.docVIP

中山大学考试试卷 ( 期中卷 A ) 课程名称: 半导体物理 教师： 陈弟虎 考试时间: 第 13 周星期 ( 11 月 30 日) 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 评分人 填空题（每题3分、共30分） 1． 在能带顶电子的有效质量是 负 的，而空穴的有效质量是 正 的。 2． 在半导体中，杂质所形成的电子态一般都是位于 禁 带中； 当半导体在电场的作用下，其能带必然发生 变化或顷斜 。 3． 在掺杂半导体中，载流子浓度主要取决于 杂质浓度 和 温度 两种因素。在强电离区，载流子浓度为 有效杂质浓度。杂质浓度 ，而在高温本征区，载流子浓度为 本征载流子浓度 。 4． 在半导体中，导带电子和价带空穴遵从玻尔兹曼分布或费米分布。其简并化条件为：当EF非常接近或进入导带（价带）时，称为 简并 半导体，载流子浓度服从 费米 分布；而当EC-EF 》kT 或EF-EV 》kT时，称为 非简并 半导体，载流子浓度服从 玻尔兹曼 分布。 5．根据费米能级的位置填写下面空白（大于、等于或小于） (a) np ni2