光配向PI固烤时间与曝光能量对LCD光学及残影的影响.pdf

第 卷 第 期 液晶与显示 ３２ 　 ８ 　　 Vol．３２　No．８ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１７ ８ 　 　 　 Au．２０１７ g 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１７０８Ｇ０５９６Ｇ０５ 光配向 固烤时间与曝光能量对 PI LCD光学及残影的影响 ∗ , , , 周学芹 杨 丽 刘政明 林熙乾 　 ( , ) 昆山龙腾光电有限公司 江苏 昆山２１５３０１ : , 摘要 采用光配向技术使 获得配向能力并制得 型 通过 光学自动检测设备以及 光学测量系统对 PI IPS LCD AOI DMS 、 , 在不同 固烤时间和 曝光能量下获得样品的预倾角 对比度及穿透率进行了量测 并研究了各条件下样品的残影 PI UV ( ) . : , / ２ , ImaeStickin 性能 结果显示 在 ９００~２７００s４００~６００mJcm 范围内 固烤时间和曝光能量对 LCD光学性能影 g g , , , ; 响较小 但对残影性能影响较大 随曝光量增大有恶化的趋势 且该趋势在高亚胺化程度下趋于平缓 调整固烤时间 IS , , / ２ . 及曝光能量可以获得较佳的残影性能 固烤时间１８００s曝光能量 ４００~５００mJcm 条件的LCD残影性能较佳 : ; ; ; ; 关 键 词 光配向 固烤时间 曝光能量 光学性能 残影 　 　 UV 中图分类号: 文献标识码: : / TN１４１．９　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０５９６ EffectsofPIostＧbaketimeandUVdosaeonLCD p g oticalerformanceandimaestickin b hotoＧalinment p p