空气轴承电主轴动力学特性分析-机械制造及其自动化专业毕业论文.docxVIP

摘要摘要随着集成电路制造技术的飞速发展，为了提高集成电路芯片产量，降低制造成本，作为 集成电路原始材料的硅片趋向大直径化。另一方面，为满足集成电路芯片封装的需要，则要 求芯片厚度薄型化。目前国际上主流的硅片磨床加工直径为300mm，而国内尚未突破300mm 大尺寸硅片的超精密磨削技术，其主要原因在于缺乏大尺寸硅片磨削专用电主轴的动态设计 技术。针对这一问题，论文以m300mm硅片超精密磨削技术为背景，围绕空气轴承电主轴静 动态设计方法开展研究，主要工作如下：(1)基于可压缩流体润滑理论，考虑主轴转子的平移运动和倾斜运动，采用线性摄动法 推导了径向空气轴承和止推空气轴承气体润滑静动态雷诺方程；采用有限差分法和牛顿迭代 法，推导了空气轴承静动态参数的计算方法，为后续分析主轴的静动态特性提供理论基础；(2)基于刚体动力学理论，考虑主轴转子在X、Y、z方向的平移运动以及绕X、Y轴的 倾斜运动，建立了主轴转子系统五自由度耦合动力学模型，推导了主轴不平衡响应、磨削力 激励响应以及稳定性的计算方法，并分析了硅片磨削专用电主轴在设计工况下的动力学特性； (3)采用弹簧加载法，研制了用于测量主轴轴向静刚度和径向静刚度的电主轴静态性能测试试验台；利用主轴误差分析仪，研制了主轴回转误差测试试验台； (4)研究结果表明，用于安装砂轮的磨削电主轴其轴向静刚度和径向静刚度理论计算值分别为：520N／gm和122N／gm，与试验值500N／Ⅲn和100N／gm相吻合；用于夹持硅片的旋 转工作台电主轴其轴向静刚度理论计算值为1000N／lma，也与试验结果950N／gm相吻合。本文建立了空气轴承电主轴静动态特性理论分析模型，研制了电主轴静动态参数测试试 验台，解决了硅片磨削专用电主轴设计的关键技术，为我国大尺寸硅片磨床关键功能部件的 国产化奠定了基础。关键词：硅片磨削、电主轴、空气轴承、转子动力学、气体润滑理论万方数据AbstractAbstractWith the development of the manufacture technology of the integrated circuits，the diameter of the silicon wafer has gradually increased to improve throughput and reduce cost．Generally，larger wafer diameters require thicker silicon to withstand wafer manufacturing．However,the limitations of the package size for the integrated circuit require the reduction of the chip thickness．At the international level，the wafer grinders are available in the wafer diameter of 300 111111．But in domestic，the key grinding technologies of silicon wafers with large diameter have not been mastered SO far．One of the main reasons is that the dynamic design methods of the wafer grinding technology haven’t been developed．To solve this problem，this paper investigates the dynamic design method of motorized spindles with aerostatic bearings on the background of the grinding technologies of 300mm silicon wafers．The main research contents and conclusions of this paper are as follows：(1)Base on the compressible air lubrication theories，the static and dynamic Reynolds equations for journal bearings and thrust bearings are deduced by the linear perturbation method considering the translational