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大连理工大学霍尔效应的研究实验报告 　　大学物理实验报告　　)　　大学物理实验报告　　)　　【实验题目】通过霍尔效应测量磁场【实验目的】　　1、了解霍尔效应原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。2、学习用“对称测量法”消除付效应影响。　　3、根据霍尔电压判断霍尔元件载流子类型，计算载流子的浓度和迁移速度，【实验仪器】　　QS-H霍尔效应组合仪【实验原理】　　1、通过霍尔效应测量磁场　　霍尔效应装置如图和图所示。将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B的方向沿z轴方向)，当沿y方向的电极A、A上施加电流I时，薄片内定向移动的载流子(设平均速率为v)受到洛伦兹力FB的作用，　　FB?qvB　　(1)　　无论载流子是负电荷还是正电荷，FB的方向均沿着x方向，在磁力的作用下，载流子发生偏移，产生电荷积累，从而在薄片B、B两侧产生一个电位差VH,形成一个电场E。电场使载流子又受到一个与FB方向相反的电场力FE，　　FE?qE?　　qVH　　(2)　　其中b为薄片宽度，FE随着电荷累积而增大，当达到稳定状态时FE?FB，即　　qvB?　　qVH　　(3)　　这时在B、B两侧建立的电场称为霍尔电场，相应的电压VH称为霍尔电压，电极B、B称为霍尔电极。另一方面，射载流子浓度为n,薄片厚度为d，则电流强度Im与v的关系为：　　Im?bdnqv或v?Im　　由(3)和(4)可得到　　(4)　　VH?　　1ImB　　nqd　　(5)　　另R?　　1,则ne　　IB　　VH?Rm　　d　　(6)　　R称为霍尔系数，它体现了材料的霍尔效应大小。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。在应用中，(6)常以如下形式出现：　　VH?KHImB　　式中KH?　　(7)　　R1?称为霍尔元件灵敏度，Im称为控制电流。dned　　由式(7)可见，若Im、KH已知，只要测出霍尔电压VH，即可算出磁场B的大小；并且若知载流子类型(n型半导体多数载流子为电子，P型半导体多数载流子为空穴),则由VH的正负可测出磁场方向，反之，若已知磁场方向，则可判断载流子类型。　　2、霍尔效应实验中的付效应　　在实际应用中，伴随霍尔效应经常存在其他效应。例如实际中载流子迁移速率u服从统计分布规律，速度小的载流子受到的洛伦兹力小于霍尔电场作用力，向霍尔电场作用力方向偏转，速度大的载流子受到磁场作用力大于霍尔电场作用力，向洛伦兹力方向偏转。这样使得一侧告诉载流子较多，相当于温度较高，而另一侧低速载流子较多，相当于温度较低。这种横向温差就是温差电动势VE，这种现象称为爱延豪森效应。这种效应建立需要一定时间，如果采用直流电测量时会因此而给霍尔电压测量带来误差，如果采用交流电，则由于交流变化快使得爱延豪森效应来不及建立，可以减小测量误差。　　此外，在使用霍尔元件时还存在不等位电动势引起的误差，这是因为霍尔电极B、B’不可能绝对对称焊在霍尔片两侧产生的。由于目前生产工艺水平较高，不等位电动势很小，故一般可以忽略，也可以用一个电位器加以平衡(图中电位器R1)。　　我们可以通过改变IS和磁场B的方向消除大多数付效应。具体说在规定电流和磁场正反方向后，分别测量下列四组不同方向的IS和B组合的VBB’,即＋B，+I,VBB’=V1-B，+I,VBB’=-V2-B，-I,VBB’=V3＋B，-I,VBB’=-V4然后利用VH?　　1　　(V1?V2?V3?V4)得到霍尔电压平4　　均值，这样虽然不能消除所有的付效应，但其引入的误差不大，可以忽略不计。　　3、电导率测量　　测量方法如图3所示。设BC间距离为L，样品横截面积为S=bd，流经样品电流为Im?，在零磁场下B?0，测得BC间电压为VBC,则：??　　ImL　　(8)　　VBCbd　　【实验内容及步骤】　　一、验证霍尔电压VH与工作电流Im、霍尔电压VH与磁场B即与IM的关系。　　1、将测试仪上IM输出，Im输出和VH输入三对接线柱分别与实验台上对应接线柱连接。打开测试仪电源开关，预热数分钟后开始实验。　　2、保持IM不变，取IM?400mA，Im?取,??,，将数据填入表1，测绘VH?Im曲线，并计算B0?n?即B0。　　15、、、、，将数据3、保持Im不变，取Im?，IM取、0.　　填入表,2，测绘VH?IM曲线。　　4、在零磁场下B?0，取Im?，测VBC。5、确定样品导电类型。　　二、测量螺线管周围的磁场　　取IS?，IM?400mA，霍尔元件放在磁场种不同位置X，分别测量霍尔电压　　VH。填入表2，计算出B，在坐标纸上画出B?X曲线。　　mmmm【原始数据】L??d?KH?　　表1霍尔电压测量单位：mV　　表2霍尔电