模拟电子电路例题半导体器件例题文档.docVIP

HYPERLINK javascript:top.topFrame.clickOnBar(1,true) 模拟电子电路例题_半导体器件例题： 1.电路如例图（a）所示。当开关S分别在“1”和“2”时，问哪一个位置的Ic较大，哪一个位置的集电极与发射极之间的耐压较高，为什么？ （a） (b) 　　[解]：S置于“1”时，发射结被短路，这时的Ic为集电结反向饱和电流；C、E极间的耐压为。S置于“2”时，基极开路，Vcc被集电结和发射结分压，使发射结正向偏置、集电结反向偏置，此时的；C、E极间耐压为。故S置于位置“2”是的Ic较大；在位置“1”时，管子集电极与发射极间的耐压较高。 　　分析：S置于“2”时，晶体管内部的载流子分配关系如例图（b）所示。Vcc在两个“结”上分压，使发射结（JE）正就偏、集电结（JC）反偏。从发射区扩散到基区的多子中，有一部分在基区复合形成电流，大部分飘移到集电区，形成，即。集电结还有少子漂移电流，由于IB=0，故=，。 2．测得各晶体管在无信号输入时,三个电极相对于地的电压如例图三所示。问哪些管子工作于放大状态，哪些处于截止、饱和、倒置状态，哪些管子已经损坏？ [解] 　　工作于放大状态时，晶体管的发射结正向偏置、集电结反向偏置。故图（b）、（e