西安邮电大学电子工程学院集成电路工艺原理与实践第三章 扩散.pdfVIP

第三章 扩散 关于掺杂 目的：改变半导体的电特性 定义:用人为的方法，将所需的杂质，以一定的方式 掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量 和符合要求的分布。 应用：制作①PN结②IC中的电阻③欧姆接触区④硅 栅⑤多晶硅互连线 方法：①热扩散②离子注入③合金 扩散 定义：将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达 到将杂质扩散到硅片内的目的。 方法： 按掺杂源 ①固体源扩散：开管扩散、箱法扩散、涂源法扩散； ②液态源扩散： ③气态源扩散 按扩散系统：开管和闭管两大类。 3.1 扩散机构 3.1.1 间隙式扩散 ①定义--杂质在晶格间的间隙中运动（扩散） ②势垒—间隙位置的势能相对极小，相邻两间隙之间 是势能极大位置，必须越过一个势垒Wi。 ∵ f(W )∝exp(-W /kT) —玻尔兹曼统计分布 i i ∴单位时间越过W 的跃迁几率P =ν exp(-W /kT), i i 0 i