广晟微电子-TD-LTE射频芯片实现之路.pptVIP

* TD-LTE射频芯片实现之路 广晟微电子有限公司 Rising Micro Electronics Co., Ltd. 2008年10月 提纲 公司简介 TD-LTE对射频芯片的新挑战 TD-LTE使用频段探讨 TD-LTE射频芯片方案规划 产品路标 公司背景 广晟微电子有限公司董事会 ? 2003年成立于广州 市。 董事长 董事 董事会秘书 广晟微电子有限公司 ? 控股股东：广晟资产 经营管理有限公司 （ 风华高科、中金岭 南控股股东）。 Rising Micro Electronics, Inc. California, USA 广州研发中心 ? 获得专利70项 开创中国 RFIC和TD-SCDMA历史 LDO LNA Low End products PLL VCO AD/DA 主要产品 SCDMA, GSM/EDGE, WCDMA, TD-SCDMA WLAN GPS Receiver LDO LNA Wireless RFIC Low End products PLL VCO SONET OC-48 (2.5 Gbps) SONET OC-192 (10 Gbps) Fiber Optical AD/DA SONET OC-768 (40 Gbps) (optional) 5款HSDPA数据卡取得入网认证 4 TD-LTE对射频芯片的新挑战 技术要求 支持多频段 支持多模 支持可变带宽 64QAM MIMO 对射频芯片的挑战 1880—1920MHz 2010—2025MHz 2300—2400MHz ？? GSM/TD-SCDMA？ 支持1.25MHz～20MHz带宽 EVM4% PLL、LNA、AD/DA、I/O 超 高 TD-LTE使用频段探讨 特高频 3-30GHz 2400-2483.5MHz WLAN 2300-2400MHz TD-SCDMA 2110-2170MHz 1920-1980MHz 2010-2025MHz WCDMA TD-SCDMA 频 1880-1920MHz 0.3 - 3G Hz 1900－1915MHz 1805－1880MHz PHS GSM1800 LTE 1710－1785MHz 甚高频 30-300MHz 935-960MHz 890-915MHz 800MHz 400－800MHz GSM900 CDMA 模拟电视 2:1Mux r TD-LTE射频芯片方案规划 LN A I RX1_IN _P R X1_IN_N Q uadratur e M ixer 2-Pole A ntialiasing Filter I A /D I C hannel Filter AGC DC O ffset I/O D ata M ux R X(10 bits) TX (10 bits) (D igR F) D A TA _C LK Q RX2_IN_P RX2_IN_N 2-Pole A ntialiasing Filter Q A /D Q C hannel Filter LNA LN A G ain C ontrol C N TR L_XO A FC D /A S erial B uss Interface and SB_D ATA_O UT TEM P VC O Frequency Synthesize Frequency C ontrol Logic SB_D ATA _IN SB_EN SB_C LK PW R _D ET VCTC XO TX1_O U T A /D VG A 1 VC O Synthesize r Q uadrature I-LPF I-D /A U pconverter Q -LPF Q -D / A Pow er D istribution DC _G ND R F_G ND TX2_O U T VG A4 R M E TD -LTE Transceiver G rounding DIG_VC C R F_VCC 创新设计 1）具备大增益动态的超低噪声前端放大器（LNA）； 2）高线性的信号选择性混频器（mixer)； 3）高动态范围的delta-sigma调制模数变换器(ADC); 4）灵活带宽的IQ数字滤波滤波处理，适应多载波处理； 5）闭环和开环结合的自动增益控制(AGC)； 6）符合基带现状的数字基带接口； 7）带直流偏移消除