氮化镓材料之低阻值欧姆接触Low.pdf

遠東學報第二十一卷第三期 中華民國九十三年七月出版 氮化鎵材料之低阻值歐姆接觸 Low-Resistance Ohmic Contacts to GaN 張國清 陳信川 遠東技術學院電機系 摘 要 本文主要研究氮化鎵材料的低阻值歐姆接觸，雙層金屬薄膜鈦/鋁可以在n型 -5 2 氮化鎵形成低阻值歐姆接觸，其最低接觸電阻值 7.4x10Ωcm。而經氧化的 雙層金屬薄膜鎳/金可以在p型氮化鎵形成低阻值歐姆接觸，其最低接觸電阻 -2 2 值1.02x10 Ωcm。 關鍵字: 氮化鎵，歐姆接觸，發光二極體 ABSTRACT In this study, low-resistance ohmic contacts to GaN have been developed. A very thin Ti/Al bilayer metal film was prepared to form low-resistance ohmic contact on n-type GaN film. The lowest value for the specific contact resistivity of 7.4x10-5 Ωcm2 was obtained. In addition, low-resistance ohmic contacts to p-GaN have been developed by oxidizing Ni/Au bilayer metal film. The lowest value for the specific contact resistivity of 1.02x10-2 Ωcm2 was obtained. Keyword: GaN, ohmic contact, LED 495 遠東學報第二十一卷第三期 中華民國九十三年七月出版 用RTA來回火。 一、前言 最近幾年來，氮化鎵 (GaN)的研究成果相 繼被提出，無論應用在可見光及紫外光範圍的 雷射二極體或發光二極體、操作在高溫高電壓 的場效電晶體或是紫外光範圍的光檢測器 上，我們都可以得到相當輝煌的成果。為了改 善元件的特性，除了需要高品質的氮化鎵薄膜 之外，金半接面的品質也扮演著非常重要的角 色。 圖 2-1. 環狀 TLM 模型 蒸鍍之前，n-type Ti/Al接觸的I-V特性如 圖2-2。Sample在600℃和900℃各回火30秒 二、Ti／Al在 n型氮化鎵上的 來做比較。沒有回火之前觀察到輕微的整流特 性，然而回火之後則呈現歐姆特性。此外，我 歐姆接觸 們發現600℃的接觸電阻比900℃小，這可能 在這個研究裡，GaN薄膜是用MOVPE成 是Ti/Al在高溫氧化所致。在不同回火溫度之 長在c-face的sapphire上。使用TMG和NH3 中也可以發現同樣的結果。 當作Ga和N的來源。Si2H6則當作n型施體 圖2-3顯示Ti/Al接觸的特徵接觸電阻是 的來源。GaN成長溫度為1050℃。Si摻雜的 快速回火溫度的函數。回火時間約30秒。在 GaN磊晶層厚度是2.5μm。霍爾量測顯示出薄 還沒回火之前特徵接觸電阻是 2.35x10-3 Ω 膜的本體載子濃度