磁控溅射镀膜原理及工艺.pptxVIP

磁控溅射镀膜原理及工艺;摘要;绪论; 通常将欲沉积的材料制成板材-靶，固定在 阴极上。基片置于正对靶面的阳极上，距靶 一定距离。系统抽至高真空后充入（10～1） 帕的气体（通常为氩气），在阴极和阳极间 加几千伏电压，两极间即产生辉光放电。放 电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与 靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原 子称为溅射原子，其能量在1至几十电子伏 范围内。溅射原子在基片表面沉积成膜。; 其中磁控溅射可以被认为是镀膜技术 中最突出的成就之一。它以溅射率高、 基片温升低、膜-基结合力好、装置性能 稳定、操作控制方便等优点，成为镀膜 工业应用领域(特别是建筑镀膜玻璃、透 明导电膜玻璃、柔性基材卷绕镀等对大 面积的均匀性有特别苛刻要求的连续镀 膜场合)的首选方案。 ;1磁控溅射原理; 磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用 下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使 其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞 向基片，Ar正离子在电场作用下加速飞向阴极 靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。 在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基 片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场 和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指 的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似 于一条摆线。; 若为环形磁场，则电子就以近似摆线形 式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径 不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等 离子体区域内，并且在该区域中电离出大 量的Ar正离子来轰击靶材，从而实现了高 的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次 电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面， 并在电场E的作用下最终沉积在基片上。 由于该电子的能量很低，传递给基片的 能量很小，致使基片温升较低。; 磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射 粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰 撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其 他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过 程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足 够动量，离开靶被溅射出来。;1.1磁控溅射种类;1.1.1技术分类;三种分类的主要对比如下表： ;2磁控溅射工艺研究 2.1溅射变量 2.1.1电压和功率 ; 在气体可以电离的压强范围内如果改变 施加的电压，电路中等离子体的阻抗会随 之改变，引起气体中的电流发生变化。改 变气体中的电流可以产生更多或更少的离 子，这些离子碰撞靶体就可以控制溅射速 率。; 一般来说：提高电压可以提高离化率。这样 电流会增加，所以会引起阻抗的下降。提高电 压时，阻抗的降低会大幅度地提高电流，即大 幅度提高了功率。如果气体压强不变，溅射源 下的基片的移动速度也是恒定的，那么沉积到 基片上的材料的量则决定于施加在电路上的功 率。在VONARDENNE镀膜产品中所采用的范围 内，功率的提高与溅射速率的提高是一种线性 的关系。 ;2.1.2气体环境;2.1.3 气体压强;2.1.4 传动速度;2.1.5 距离与速度及附着力;2.2系统参数;2.2.1靶结构; 同样，靶材块的晶体结构、颗粒结构、硬 度、应力以及杂质等参数也会影响到溅射速 率，而这些则可能会在产品上形成条状的缺 陷。这也需要在镀膜期间加以注意。不过， 这种情况只有通过更换靶材才能得到解决。 靶材损耗区自身也会造成比较低下的溅射速 率。这时候，为了得到优良的膜层，必须重 新调整功率或传动速度。因为速度对于产品 是至关重要的，所以标准而且适当的调整方 法是提高功率。;2.2.2磁场;2.3可变参数;2.3.1功率;2.3.2速度;2.3.3气体;2.3.4阴极/基片之间的关系;3试验 3.1试验目的 ①熟悉真空镀膜的操作过程和方法。 ②了解磁控溅射镀膜的原理及方法。 ③学会使用磁控溅射镀膜技术。 ④研究不同工作气压对镀膜影响。 ;3.2试验设备;3.3试验原理; 在高压作用下Ar原子电离成为Ar+离子和电 子，产生等离子辉光放电，电子在加速飞向 基片的过程中，受到垂直于电场的磁场影响， 使电子产生偏转，被束缚在靠近靶表面的等 离子体区域内，电子以摆线的方式沿着靶表 面前进，在运动过程中不断与Ar原子发生碰 撞，电离出大量的Ar+离子，与没有磁控管的 结构的溅射相比，离化率迅速增加10～100 倍，因此该区域内等离子体密度很高。; 经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低， 摆脱磁力线的束缚，最终落在基片、真空 室内壁及靶源阳极上。而Ar+离子在高压电 场加速作用下，与靶材的撞击并释放出能 量，导致靶材表面的原子吸收Ar+离子的动 能而脱离原晶格束缚，呈中性的靶原子逸 出靶材的表面飞向基片，并在基