脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其光电性质研究-原子与分子物理专业毕业论文.docx

山东师范大学博士学位论文发射较强的ZnO单晶薄膜。 山东师范大学博士学位论文 发射较强的ZnO单晶薄膜。 3．在生长氛围氧压O．13 Pa,衬底温度400℃，在不同的激光能量下制备ZnO 薄膜。发现在约200 n1J的激光能量下能得到品质较好的薄膜。 4．在不同的氧氛围压力(O．1．60 reTort)制备薄膜时，发现薄膜的晶化和发光 的最优点并没有出现在一个氧压点上。分析发现XRD与PL谱对晶体结构 的敏感程度是不同的。影响PL谱的主要因素是晶体的点缺陷，如氧空位和 锌填隙。而XRD对晶格缺陷如位错、晶粒边界和晶粒取向等更敏感一些。 5．对制各的薄膜在氮气，氧气和真空中进行了退火处理。对比分析了不同的退 火氛围对薄膜结构和光致发光的影响。发现退火能提高薄膜的结晶和紫外 发射，但在不同的氛围中退火，薄膜拥有的缺陷类型也不同。其中在氧气中 退火有最好的结晶，最小的表面和点缺陷。 6．通过对不同的条件制备的薄膜的光致发光谱分析发现：位于460 nm蓝光发 射起源于电子从施主缺陷能级zIl填隙到zn空位产生的受主能级之间的跃 迁。 7．用粉末ZnO靶同陶瓷ZnO靶对比生长ZnO薄膜，发现在同样条件下，用 陶瓷靶成膜的最佳温度是400℃，而用粉末靶的最佳温度为700℃，说明 粉末靶的成膜效率远不及陶瓷靶。 关键词：透明导电ZnO薄膜，脉冲激光沉积，光致发光谱，电子特性，退 火 分类号：0484．4 Ⅱ 山东师范大学博士学位论文Prepared 山东师范大学博士学位论文 Prepared of ZnO Thin Film by Pulsed Laser Deposition and Study on Optoelectronic Properties Abstract Zinc oxide(ZnO)is姐interesting wide band gap 0．3 eV at room temperature) 11·Ⅵsemiconductor material，which has a much larger exciton binding energy(60 meV)than GaN(-25 meV)and ZnSe(22 meV)．ZnO has wurtzite structure，and its lattice parameters are a=0．3249 nnl and c---0．5206 nm．ZnO possess excellence transparent conductivity,piezoelectricity,photoelectricity,gas sensitivity,voltage sensitivity,and they can be integrated with some semiconductor materials readily．ZnO films have many potential applications such as surface acoustic wave devices，planar op廿cal waveguldes，transparent electrodes，ultraviolet photodetectors，piezoelectric devices，varistors，LrV-LEDs(1ight emitting diodes)and-LDs Oaserdiodes)and gas sensors etc．ZnO is used to n池W-emitter and UV laser in the of short range wavelength,which play a very important role for improving light-noting density and accumulate—adopt vilocity of light information．The visible emission and ultraviolet lasing emission of ZnO have been the subject of much research llp to now．It is receivable generally that the UV emission centre could be an exciton transition． However,the exact origin of the visible emission is not well understood and is still debatable owing to different intrinsic defects，su