福建师范大学数学与计算机科学学院电子技术基础（数字电路）课件第七章 半导体存储器.pptVIP

第 7 章　半导体存储器 7.1　概　述 7.2　只读存储器 一、ROM 的类型及其特点 二、ROM 的结构和工作原理 三、集成 EPROM 举例 四、用 PROM 实现组合逻辑函数 9.3 随机存取存储器 一、RAM 的结构、类型和工作原理 二、集成 RAM 举例 本 章 小 结 第七章 半导体存储器 §7-1 概述 ROM 由制造工艺分： §7-2 只读存储器ROM 例2 MOS管ROM §7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数 RAM 由存储矩阵、译码器和读/写控制电路组成。它可以读出数据或改写存储的数据，其读、写数据的速度很快。因此，RAM 多用于需要经常更换数据的场合，最典型的应用就是计算机中的内存。但是， RAM 断电后数据将丢失。 RAM 可位扩展或字扩展，也可位、字同时扩展。通过扩展，可由多片小容量的 RAM 构成大容量的存储器。 RAM 有静态 RAM和动态 RAM 之分。静态 RAM(即SRAM)的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。动态 RAM(即 DRAM)的存储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻( 1010 ?)、在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此工作时需要周期性的对存储数据进行刷新。 7-1 概述 7-2 只读存储器ROM 7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数 随机存储器（Random Access Memory RAM） 半导体存储器能存储大量二值信息，是数字系统不可缺少的部分 1、衡量指标 存储速度 只读存储器（Read-Only Memory ROM） 存储量 2、种类 掩模ROM 可编程ROM：PROM 可擦除可编程ROM：EPROM RAM 静态RAM：SRAM 动态RAM：DRAM 双极型 MOS型 §7-2-1 掩模只读存储器ROM 根据用户要求专门设计的掩模板把数据：“固化”在ROM中 电路结构 地址输入 存储矩阵 地址译码器 输出缓冲器 数据输出 地址译码器：将输出的地址代码翻译成相应的控制信号，把指定单元选 出，其数据送输出缓冲器 输出缓冲器 提高存储器带负载的能力 实现输出状态三态控制，与系统总线连接 例1 2位地址输入，4位地址输出，二极管存储器 A1A0：两位地址代码，能指定四个不同地址 地址译码器：将四个地址译成W0?W3四个高电平输出信号 A1 A0 W0 W1 W2 W3 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 存储矩阵：二极管编码器 W0=1 EN=0 W1=1 EN=0 W2=1 EN=0 W3=1 EN=0 输出缓冲器：提高带负载能力 数据表为： D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 A1 A0 0 0 0 1 1 0 1 1 位线 地址线 字线 数据表为： D3 D2 D1D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 W0=1 W1=1 W2=1 W3=1 D3’D2’ D1’D0’ 0 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 §7-2-2 PROM 没使用前，全部数据为1 要存入0： 找到要输入0的单元地址，输入地址代码，使相应字线输出高电平 在相应位线上加高电压脉冲，使DZ导通，大电流使熔断丝熔断 肖特基势垒稳压二极管 快速熔断丝 §7-2-3 EPROM 一、雪崩注入MOS管（FAMOS）构成的EFROM FAMOS结构图 注入： 在漏极和源极间加高反压，漏极与衬底间的PN结击穿，其耗尽层的电子在强磁场中高速射出，一部分被浮置栅浮获，此部分负电荷在DS间负电压去除后无放电回路，得以保存。 擦除： 用紫外线或X射线照射FAMOS管，使SiO2层中产生电子空穴对，为浮置栅的负电荷提供放电通道。 FAMOS构成的存储单元 二、叠栅MOS管（SIMOS）构成的EPROM SIMOS结构图 N沟道增强型MOS管 在控制栅Ge上加正常高电平时，能在漏-源间构成导电通道，使SIMOS导通 电荷注入后，需要在Ge上加更高压才能形成导电沟道——VTH提高 在漏-源间加高电压，使雪崩击穿，同时在G