晶体管发明70周年纪念.pdfVIP

现代物理知识 晶体管发明70 周年纪念 姬 扬 ( 中国科学院半导体研究所 100083) 1947 年12 月23 日，美国贝尔实验室正式地成 第一个基于色心的晶体管模型，可惜其工作频率只 功演示了第一个基于锗半导体的具有放大功能的 有1 Hz 甚至更差。此后，其他人也做过一些尝试， 点接触式晶体管，标志着现代半导体产业的诞生和 但是都没有成功。 信息时代的开启。晶体管可以说是20 世纪最重要 1945 年，贝尔实验室计划针对几种新材料(包 的发明，到今天已经整整70 年了。 括硅和锗)进行有目标的基础研究(类似于我们现在 严格地说，晶体管泛指一切的单个半导体元 说的“应用基础研究”) ，以了解其潜在的应用前 件，经常用来指代半导体材料制成的三极管、场效 景。为此成立了“半导体小组”，肖克利(W. Shock- 应管，等等。它的英文名字是transistor ，来自于 ley)是组长，成员包括巴丁(J. Bardeen)和布拉顿(W. trans-resistance( 即transfer resistance) ，也就是所谓的 Brattain) 。肖克利和巴丁都是理论物理学家，而布 “跨阻”，指的是输出端电压变化与输入端电流变化 拉顿则是实验物理学家( 图1) 。起初的工作是基于 肖克利偏爱的金属-半导体结构，在多次尝试失败 的比值(单位是欧姆) ，反映了输入对输出的影响能 之后，巴丁认识到半导体的表面缺陷有着非常不利 力。晶体三极管进入中国的时候，真空三极管还在 的影响，必须找到“钝化”表面(消除缺陷) 的方法。 广泛使用，晶体三极管的巨大成功使得晶体管不仅 从1947 年11 月起的短短几个月时间里，他们取得 特指与英文原名transistor 似乎关系不大的晶体三 了重大的进展，终于实现了第一个半导体晶体管。 极管，更是泛指了所有的单个半导体元件。 实际上，这个时期发明了两种全然不同的晶体 晶体管的诞生 管：巴丁和布拉顿在1947 年12 月发明了点接触式 在晶体管诞生之前，电信号的放大主要是通过 晶体管(图2) ，把间距为50 μm 的两个金电极压在锗 电子管(真空三极管) 。这种器件是1907 年由德福 雷斯特(L. Forest )发明的，其实质是在1904年弗莱 明(J. Fleming)发明的真空二极管的阴极和阳极之 间添加了另一个电极(所以称为“三极管”) ，从而实 现了电流的放大功能，后来又因为“反馈”概念的引 入而进一步改善了器件性能。真空三极管制作起 来很困难、寿命很短，而且体积大、耗能高、易损坏， 严重限制了其应用范围，人们一直希望能够用固态 器件来替换它。一个简单的想法(但是在当时很难 实现)就是，往半导体整流器(二极管)里放置一个栅 极。1938 年，德国的希尔什(R. Hilsch) 和珀尔(R. 图1 从左到右，巴丁(1908~ 1991) 、肖克利(1910~ 1989)和布拉顿 Pohl)把三个电极插入溴化钾晶体里，成功地演示了 (1902~ 1987) 。他们的关系并不像照片里显示的这么融洽 36 物理知识