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2. 工作原理 二、N沟道耗尽型MOSFET 三.主要参数 交流参数 一、JFET的结构和工作原理 二、FET的交流小信号模型分析法 与双极型晶体管一样，场效应管也是一种非线性器件，在交流小信号情况下，也可以由它的线性等效电路—交流小信号模型来代替。 1. FET的小信号模型 低频模型rds=∞ + ?a + - Vds - S rds g d id . Vgs . gmVgs . 高频模型 2.应用小信号模型法分析共源FET放大电路 R Rg1||Rg1 + + + + _ _ _ _ vs vi vgs gmvgs vo Rd R Rs g d id Ri Ro 例5.2.5 设Rg1=150k, Rg2=47k, Rd=10k, R=0.5K, RS=3k,gm=1mS. 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 解: 电压增益 输入电阻 输出电阻 源电压增益 模拟电子技术基础——场效应管放大电路 主讲:刘童娜 5.1 金属－氧化物－半导体场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.5 各种放大电路比较 5.3 结型场效应管 BJT是一种电流控制器件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET 绝缘栅场效应管 IGFET (Insulated Gate FET) 结 型场效应管 JFET （ Junction FET） 场效应管（FET）的分类 5.1 金属－氧化物－半导体场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。 分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）又称为绝缘栅场效应管。它的栅极处于绝缘状态，所以输入电阻极高。 耗尽型 当VGS=0时 存在导电沟道 iD不等于零 增强型 当VGS=0时 无导电沟道 iD=0 5.1 金属－氧化物－半导体场效应管 一、N沟道增强型MOS管 1.结构 4个电极：漏极D，源极S，栅极G和 衬底B 符 号 N沟道增强型 P沟道增强型 动画演示 当栅极加有电压时，若 0＜VGS＜VT (开启电压)时，将靠近 栅极下方的P型半导体中的空穴向 下方排斥，出现了一薄层负离子的 耗尽层。耗尽层中的少子将向表 层运动，但数量有限，不足以形 成沟道，将漏极和源极沟通，所以不能形成漏极电流ID。 1) 栅源电压VGS的控制作用 当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 VGS对漏极电流的控制关系可用 ID=f(VGS)?VDS=常数 这一曲线描述，称为转移特性曲线。 进一步增加VGS，当VGS＞VT时，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。 随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VT后才会出现漏极电流，这种MOS管称为管增强型MOS 。 定义： 开启电压（ VT）——刚刚产生沟道所需的栅源电压vGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： vGS ＜ VT，管子截止， vGS ＞VT，管子导通。 vGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压vDS作用下， 漏极电流iD越大。 当VDS为0或较小时，相当VGS＞VT，沟道分布 如图(a)，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道 呈斜线分布。 当VDS增加到使VGD=VT时，沟道如图(b)所 示。这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚 开启的情况，称为预夹断。 当VDS增加到VGDVT时，沟道如图02.15(c)所示。 此时预夹断区域加长，伸向S极。 VDS增加的