南京师范大学电气与自动化工程学院电子技术基础（电子器件基础）课件第三章 场效应管.pptVIP

* * 3.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 3.2 结型场效应管（JFET） Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor 3.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 3.1.1 N沟道增强型MOSFET 3.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 3.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号 漏极 金属 栅极 源极 高掺杂N区 d g s P型硅衬底 N+ N+ SIO2绝缘层 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。称绝缘栅型场效应管。 2 . 工作原理 当vGS = 0 时，d、s间没有导电沟道，i D =0 漏极 栅极 源极 d g s P型 硅衬底 N+ N+ 当vGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； VGG P型硅衬底 N+ N+ d g s - - - - + - vGS 耗尽层 N沟道 当vGS =VT时，在表面形成一个N型层，称反型层，即勾通源区和漏区的N型导电沟道，将D-S连接起来。 vGS愈高，导电沟道愈宽。沟道电阻越小，漏极电流愈大。 P型硅衬底 N+ VGG s – g + N+ d – + VDD 在一定的vDS下漏极电 流iD的大小