7半导体存储器-数字电路 .pptVIP

第七章 半导体存储器 第一节 概述 第二节 只读存储器ROM 一、掩模只读存储器 2.工作原理 二、可编程只读存储器PROM 三、可擦除的可编程只读存储器（EPROM） （一）紫外线擦除的只读存储器（UVEPROM） 2.使用叠栅注入MOS管SIMOS (Stacked-gate Injuction MOS) （三）快闪存储器(Flash Memory） 第三节 随机存储器（RAM） 一、静态随机存储器SRAM （二）静态RAM的存储单元 *二、动态随机存储器DRAM 第四节 存储器容量的扩展 一、位扩展方式 二、字扩展方式 第五节 用存储器实现组合逻辑函数 * 存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。 用途：在计算机或数字系统中存储数据。 与寄存器的区别：以字为单位存取，每字包含若干位。各个字的相同位通过同一引脚与外界联系。每个字分配一个地址，因此内部有地址译码器。 存储器 地 址 数 据 分类： 掩模ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 随机存储器RAM 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM 按功能 (Read- Only Memory) (Random Access Memory) (Programmable ROM) (Erasable PROM) UVEPROM EEPROM 只读存储器ROM Flash Memory (Ultra-Violet) (Electrically) 电可擦除 紫外线擦除 (Static RAM) 快闪存储器 (Dynamic RAM) 只能读出不能写入,断电不失 还可以按制造工艺分为双极型和MOS型两种。 主要指标：存储容量、存取速度。 存储容量:用字数×位数表示，也可只用位数表示。如，某动态存储器的容量为109位/片。 又称为固定ROM。工厂按用户要求生产出来后，用户不能改动。 1.ROM的构成 存储矩阵：由若干存储单元排列成矩阵形式。 储存单元：可由二极管、双极性三极管或MOS管构成。 地址译码器：根据地址输入，在存储矩阵中选出指定的字对应的单元，把数据送往输出缓冲器。 输出缓冲器：增加带负载能力；同时提供三态控制，以便和系统的总线相连。 存取速度：用完成一次存取所需的时间表示。高速存储器的存取时间仅有10ns左右。 D3 D2 D1 D0 按组合电路进行分析。 二－四线译码器 A1,A0的四个最小项 字线 存储矩阵是四个二极管或门； 当EN=0时， 。 D1= D3 = A0 D0 = W1+ W0 = A1 真值表： 真值表与存储单元有一一对应关系 位线 0 0 1 1 D0 1 0 1 0 D1 1 1 0 1 D2 1 0 1 0 D3 1 0 1 0 A0 1 1 0 0 A1 D3 = W1+W3 = A1A0+A1A0=A0 D2= W1= A1+A0 用MOS工艺制造的ROM的存储矩阵如图： 或非门 产品出厂时存的全是1，用户可一次性写入，即把某些1改为0。但不能多次擦除。 存储单元多采用熔丝－－低熔点金属或多晶硅。写入时设法在熔丝上通入较大的电流将熔丝烧断。 编程时VCC和字线电压提高 16字×8位的PROM 十六条字线 八条位线 20V 十几微秒 编程脉冲 读出时，读出放大器AR工作，写入放大器AW不工作。 写入时，在位线输入编程脉冲使写入放大器工作，且输出低电平，同时相应的字线和VCC提高到编程电平，将对应的熔丝烧断。 缺点：不能重复擦除。 是最早出现的EPROM。通常说的EPROM就是指这种。 1.使用浮栅雪崩注入MOS管（Floating-gate Avalanche-Injuction MOS，简称FAMOS管。） 写入：管子原来不导通。在漏源之间加上较高电压后（如-20V），漏极PN结雪崩击穿，部分高速电子积累在浮栅上，使MOS管导通。 擦除：用紫外线或X射线擦除。需20~30分钟。 浮栅上电荷可长期保存－－在125℃环境温度下，70%的电荷能保存10年以上。 存储单元如图。 缺点：需要两个MOS管；编程电压偏高；P沟道管的开关速度低。 用N沟道管；增加控制栅。 SIMOS管原来可导通，开启电压约为2V。 注入电荷：在DS间加高电压，同时在控制栅加25V、50mS宽的脉冲。由于控制栅上有电压，所以需要的漏源电压相对较小。注入电荷后其开启电压达7V，不能正常导通。 存储单元如下页图。256字X1位。已注入电荷的SIMOS