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西安电子科技大学计算机学院 吴自力 2011--4 * 第四章 场效应管放大电路 * 半导体三极管： 又称晶体管、双极性三极管，是组成各种电子电路的核心器件。 结构、类型：NPN型、PNP型 放大机理：内部结构、外部条件 特性曲线：输入特性、输出特性 单级放大电路： 工作原理 三种组态 静态分析 动态分析 多级放大电路： 频率特性： 引言一 * 引言 二 由于半导体三极管工作在放大状态时，必须保证发射结正偏。 －－－故输入端始终存在输入电流 改变输入电流就可改变输出电流，所以三极管是电流控制器件。 因而三极管组成的放大器，其输入电阻不高。 随着电子技术及半导体生产工艺的发展与进步，出现了一种新型的半导体器件－－场效应晶体管。 * 场效应晶体管(FET)是利用电压产生的电场效应来控制电流的一种半导体器件。它与晶体管相比有以下重要特点： (1) 它是一种电压控制器件。 工作时，管子的输入电流几乎为 0， 因此具有极高的输入电阻(约数百兆欧以上)。 (2) 输出电流仅由多子运动而形成，故称单极型器件。 它的抗温度和抗辐射能力强，工作较稳定。 (3) 制造工艺比较简单，便于大规模集成，且噪声较小。 (4) 类型较多， 使电路设计灵活性增大。 引言三 * 根据结构的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管(JFET)和金属 -氧化物 -半导体场效应管(MOSFET)。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 引言四 * 第四章 场效应管放大电路 4.1 结型场效应管 4.2 绝缘栅场效应管 4.3 场效应管的主要参数 4.4 场效应管的特点 4.5 场效应管放大电路 * 4.1 结型场效应管 本节主要讨论结型场效应管JFET 包括： 结构 工作原理 伏安特性 * N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 导电沟道 结型场效应管也是具有PN结的半导体器件 4.1 结型场效应管 4.1.1 结构 N型半导体衬底 高掺杂P+型区 导电沟道 两个PN结 电子发射端 称为源极(Source) 电子接收端 称为漏极(Drain) 栅极(Gate) 在JFET中，源极S和漏极D是可以互换的。 * N P P G(栅极) S源极 D漏极 符号 D G S D G S N沟道结型场效应管的结构与符号： 结构 * 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 N沟道结型场效应管的具体结构： 符号 * P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管结构与符号： D G S D G S 符号 结构 * N沟道和P沟道结型场效应管符号上的区别，在于栅极的箭头方向不同，但都要由P区指向N区。 D G S D G S D G S D G S N沟道和P沟道结型场效应管符号上的区别: N沟道 P沟道 * 以N型沟道JFET为例进行分析，研究JFET的工作原理————输入电压对输出电流的控制作用。 4.1.2 基本工作原理 N沟道场效应管工作时，在栅极与源极之间加负电压，栅极与沟道之间的PN结为反偏。 在漏极、源极之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流子(电子)由源极向漏极漂移，形成iD。iD的大小受VGS的控制。 P沟道场效应管工作时，极性相反，沟道中的多子为空穴。 * JFET工作原理（动画2-9) * ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄 ? ? 沟道电阻变大，ID减小； ? VGS更负，沟道更窄，ID更小； 直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断， ID≈0。这时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。 * ②漏源电压VDS对iD的影响 在栅源间加电压VGS＞VP，漏源间加电压VDS。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS，比源端耗尽层所受的反偏电压VGS大,(如:VGS=-2V, VDS =3V, VP=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为-5V，源端耗尽层受反偏电压为-