电子科技大学数字逻辑设计及应用课件 第二章（3）.3.ppt

第2章 内容回顾 常用按位计数制的转换 非十进制的加法和减法 负数的表示 符号－数值（原码） 补码数制：基数补码、基数减1补码 二进制的原码、反码、补码表示 第2章 内容回顾 二进制补码的加法和减法 十进制数的二进制编码 BCD码、2421码、余3码 二五混合码、10中取1码 葛莱码（ Gray code ） 字符编码 动作、条件和状态的编码 第3章 数字电路 介绍数字电路中的电气知识 思考几个问题 在模拟的世界中如何表征数字系统？ 如何将物理上的实际值 映射为逻辑上的 0 和 1 ？ 什么时候考虑器件的逻辑功能； 什么时候考虑器件的模拟特性？ 3.1 逻辑信号和门电路 如何获得高、低电平？ 高电平对应 0 还是 1？ 3.1 逻辑信号和门电路 从物理的角度 考虑电路如何工作，工作中的电气特性 实际物理器件不可避免的时间延迟问题 从逻辑角度 输入、输出的逻辑关系 三种基本逻辑：与、或、非 基本逻辑运算：与（AND） 基本逻辑运算：或（OR） 基本逻辑运算：非（NOT） 与非 和 或非 与非 逻辑表达式： Z = ( A · B ) ’ 逻辑符号： 或非 逻辑表达式： Z = ( A + B ) ’ 逻辑符号： 关于逻辑代数的几个公理 若X ? 1, 则X = 0 若X ? 0, 则X = 1 0’ = 1 1’ = 0 0 · 0 = 0 1 + 1 = 1 1 · 1 = 1 0 + 0 = 0 0·1 = 1·0 = 0 1+0 = 0+1 = 1 3.2 逻辑系列 （Logic Family） 同一系列的芯片具有类似的输入、输出及内部电路特征，但逻辑功能不同。 不同系列的芯片可能不匹配 TTL逻辑系列 CMOS系列 3.2 CMOS逻辑 CMOS逻辑电平 2、MOS晶体管 分为：N沟道 和 P沟道 MOS晶体管 分为：N沟道 和 P沟道 MOS晶体管 MOS晶体管栅极阻抗非常高（兆欧） 无论栅电压如何 栅－漏、栅－源之间几乎没有电流 （漏电流 leakage current , ?A） 栅极与源和漏极之间有电容耦合 信号转换时，电容充放电，功耗较大 MOS管的基本开关电路 3、基本的CMOS反相器 工作原理 1、VIN = 0.0V VGSN = 0.0V，Tn截止 VGSP = VIN –VDD = –5.0V，Tp导通 VOUT ? VDD = 5.0V 2、VIN = VDD = 5.0V VGSN = 5.0V，Tn导通 VGSP = VIN –VDD = 0.0V ，Tp截止 VOUT ? 0 4、CMOS与非门 工作原理： 1、A、B至少有一个为低 T1、T3至少有一个截止， T2、T4至少有一个导通；Z为高（ ? VDD） 2、A、B都为高 T1、T3都导通， T2，T4都截止， Z为低（ ? 0V） 4、CMOS或非门 工作原理： 1、A、B都为低 T1、T3都截止， T2，T4都导通， Z为高（? VDD） 2、A、B至少有一个为高 T1、T3至少有一个导通， T2、T4至少有一个截止； Z为低（? 0V） 5、扇入（fan－in） 门电路所具有的输入端的数目 导通电阻的可加性限制了CMOS门的扇入数 可用较少输入门级联得到较多的输入 6、非反相门 3.4 CMOS电路的电气特性 逻辑电压电平 直流噪声容限 扇出 速度 功耗 噪声 静电放电 漏极开路输出、三态输出 3.5 CMOS稳态电气特性 逻辑电平和噪声容限 逻辑电平规格 VOHmin： VIHmin ： VILmax ： VOLmax ： * * 数字逻辑设计及应用 VOUT VIN Vcc R 获得高、低电平的基本原理 正逻辑 positive 1 0 负逻辑 negative 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 A B Z 逻辑表达式 Z = A · B 开关：1通、0断 灯：1亮、0不亮 当且仅当所有输入 全为1时，输出为1 真值表 A B Z A B Z 逻辑符号 A B Z 逻辑表达式：Z = A + B A B Z 真值表 A B Z 只要有任何一个输入为1，输出就