南京师范大学电气与自动化工程学院电子技术基础（电子器件基础）课件第二章 双极结三极管.pptVIP

* * 2.1 半导体三极管 2.1.1 BJT的结构简介 2.1.2 放大状态下BJT的工作原理 2.1.3 BJT的V－I特性曲线 2.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 Bipolar Junction Transistor—双极结型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 Collector Base Emitter 晶体管的结构示意图和表示符号 (a)NPN型晶体管； (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 2.1.2 放大状态下BJT的工作原理 1. 内部载流子的传输过程（以NPN为例） （1)发射区向基区扩散