福建师范大学数学与计算机科学学院电子技术基础课件第五章 场效应管及其应用.ppt

第5章半导体三极管和场效应管及其应用 §5.91 结型场效应管 2 .漏源电压对沟道的控制作用 三、 结型场效应三极管的特性曲线 §5.92 绝缘栅场效应管 ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 二、N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加 入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD 进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD 减小。 三、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 §3.3 场效应管的主要参数、  特点及使用注意事项 1. 开启电压UT 栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 小 结 * 《模拟电路》精品课程课件 §5.91 结型场效应管 §5.92 绝缘栅场效应管 §5.93 场效应管的主要参数、 特点及使用注意事项 第5章半导体三极管和场效应管及其应用 学习目标：1.熟悉场效应管的结构、分类 2.了解场效应管的的工作原 理、主要参数和应用 学习重点：1. MOSFET管的结构特点 2.结型场效应三极管的特性曲线 §5.91 结型场效应管 一、结型场效应管的结构（以N沟为例） 两个PN结夹着一个N型沟道。 三个电极： g：栅极 d：漏极 s：源极 N沟道 P沟道 符号： §5.91 结型场效应管 二、结型场效应管的工作原理 1.栅源电压对沟道的控制作用 夹断电压UP——使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压uGS。 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，导电沟道最宽。 ②当│uGS│↑时，沟道电阻增大。 ③当│uGS│↑到一定值时 ，沟道会完全合拢。 §5.91 结型场效应管 在漏源间加电压uDS ，令uGS =0 ①当uDS=0时， iD=0。 ②uDS↑→iD ↑→沟道变窄 ③当uDS ↑,使uGD=uGS- uDS=UP时，预夹断。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 预夹断前， uDS↑→iD ↑。 预夹断后， iDS↑→iD 几乎不变。 §5.91 结型场效应管 1 .输出特性曲线： iD=f（ uDS ）│uGS=常数 uGS=0V uGS=-1V §5.91 结型场效应管 输出特性曲线分为四个区： （a）可变电阻区（预夹断前) △ iD = gm △ uGS （放大原理） （b）恒流区（预夹断后) （c）夹断区（截止区） （d）击穿区 可变电阻 区 恒流区 击穿区 截止区 §5.91 结型场效应管 2.转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线。 返回 第5章半导体三极管和场效应管及其应用 学习目标：1.熟悉N沟道增强型MOS管的结 构和符号、工作原理 2.了解N沟道耗尽型MOSFET的特点 学习重点：绝缘栅场效应管的结构特点 §5.92绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 一、N沟道增强型MOS管 1.结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和衬底B ①栅源电压uGS的控制作用 2.工作原理 当uGS=0V时，管子截止。 §5.92绝缘栅场效应管 再增加uGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 开启电压（UT）——刚刚产生沟道所 需的栅源电压UGS。 特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。 当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅 极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 §5.92绝缘栅场效应管 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线：